東芝NAND閃存：TC58BYG2S0HBAI4
TC58BYG2S0HBAI4
TC58BYG2S0HBAI4是一個(gè)1.8V4Gbit(4,429,185,024位)NAND電可擦可編程只讀存儲器(NANDE2PROM)，其組織為(4096+128)字節(jié)或64頁或2048塊。
TC58BYG2S0HBAI4 是一個(gè)串行類型的存儲器設(shè)備，它利用 I/O引腳進(jìn)行地址和數(shù)據(jù)輸入/ 輸出以及命令輸入。自動執(zhí)行擦除和編程操作,使得該設(shè)備最適合于諸如固態(tài)文件存儲、語音記錄、用于靜態(tài)照相機(jī)的圖像文件存儲器其它需要高密度非易失性存儲器數(shù)據(jù)存儲的系統(tǒng)。
TC58BYG2S0HBAI4 具有 ECC 邏輯，每 528 字節(jié)的 8 位讀取錯(cuò)誤可以在內(nèi)部校正。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2019-09-05
