東芝NAND閃存：TC58BVG1S3HBAI6
TC58BVG1S3HBAI6
TC58 BVG1S 3HBAI6 是單個(gè) 3.3V 2Gbit（ 2,214 ，592 ，512 位）NAND 電氣可擦除和可編程只讀存儲(chǔ)器 (NANDE2PROM) ，組織為（ 2048 + 64 ）字節(jié)× 64 頁× 2048 塊。該設(shè)備具有2112字節(jié)的靜態(tài)寄存器,其允許程序和讀取數(shù)據(jù)以2112字節(jié)增量在寄存器和存儲(chǔ)器單元陣列之間傳送,擦除操作在單個(gè)塊單元(128KB+4KB：2112字節(jié)/64頁)中實(shí)現(xiàn)。
TC58BVG1S3HBA6是一種串行式存儲(chǔ)器裝置，它利用I/O引腳用于地址和數(shù)據(jù)輸入/輸出以及命令輸入。自動(dòng)執(zhí)行擦除和編程操作,使得該設(shè)備最適合于諸如固態(tài)文件存儲(chǔ)、語音記錄、用于靜態(tài)照相機(jī)的圖像文件存儲(chǔ)器其它需要高密度非易失性存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的系統(tǒng)。
TC58BVG1S3HBA6在芯片上有ECC邏輯，每個(gè)528字節(jié)的8位讀取錯(cuò)誤可在內(nèi)部進(jìn)行校正
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2019-09-05
