東芝NAND閃存：TC58BYG0S3HBAI4
TC58BYG0S3HBAI4
TC58 BYG0S 3HBAI4 是一個(gè)單一的 1.8V 1Gbit(1,107 ，296 ，256 位) NAND 電氣可擦除和可編程只讀存儲(chǔ)器 (NANDE2PROM) ，組織為 (2048 ，64)字節(jié)× 64 頁(yè)× 1024 塊。該裝置具有2112字節(jié)靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲(chǔ)器單元陣列之間以2112字節(jié)遞增傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作在單個(gè)塊單元(128KB+4KB：2112字節(jié)/64頁(yè))中實(shí)現(xiàn)。
TC58BYG0S3HBAI4是一種串行型存儲(chǔ)設(shè)備，它使用I/O引腳進(jìn)行地址和數(shù)據(jù)輸入/輸出以及命令輸入。自動(dòng)執(zhí)行擦除和程序操作，使設(shè)備最適合于諸如固態(tài)文件存儲(chǔ)、語(yǔ)音記錄、靜止相機(jī)圖像文件存儲(chǔ)器等應(yīng)用。
TC58BYG0S3HBA4在芯片上具有ECC邏輯，并且可以在內(nèi)部校正每個(gè)528字節(jié)的8位讀取錯(cuò)誤。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2019-09-05
