東芝NAND閃存：TC58BYG0S3HBAI6
TC58BYG0S3HBAI6
TC58BYG0S3HBAI6是一個1.8V 1 Gbit(1，107，296，256位)NAND電可擦和可編程只讀存儲器(NAND E2PROM)，組織為(2048 64)字節(jié)×64頁×1024塊。該裝置具有2112字節(jié)靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲器單元陣列之間以2112字節(jié)遞增傳輸程序和讀取數據。擦除操作在單個塊單元(128KB+4KB：2112字節(jié)/64頁)中實現。
TC58BYG0S3HBA6是一種串行式存儲器裝置，它利用I/O引腳用于地址和數據輸入/輸出以及命令輸入。自動執(zhí)行擦除和編程操作,使得該設備最適合于諸如固態(tài)文件存儲、語音記錄、用于靜態(tài)照相機的圖像文件存儲器其它需要高密度非易失性存儲器數據存儲的系統(tǒng)。
芯片上的 TC58 BYG0S 3HBA I 6 具有 ECC 邏輯，每 528 字節(jié)的 8 位讀取錯誤可以在內部校正。
編輯：admin 最后修改時間：2019-09-05
