意法半導(dǎo)體快速恢復(fù)的超結(jié)MOSFET為電橋和ZVS轉(zhuǎn)換器帶來卓越性能
中國，2019年1月22日 - 意法半導(dǎo)體的MDmesh DM6 600V MOSFET含有一個快速恢復(fù)體二極管，將該公司最新的超結(jié)(super-junction)技術(shù)的性能優(yōu)勢引入到全橋和半橋拓撲、零電壓開關(guān)(ZVS)相移轉(zhuǎn)換器等通常需要一個穩(wěn)定可靠的二極管來處理動態(tài)dV/dt的應(yīng)用和拓撲結(jié)構(gòu)里。 MDmesh DM6 MOSFET利用意法半導(dǎo)體先進的載流子壽命控制技術(shù)減少反向恢復(fù)時間(trr)，最大限度地降低續(xù)流后關(guān)斷期間二極管的耗散功率。優(yōu)化的恢復(fù)軟度增強了產(chǎn)品可靠性。此外，極低的柵極電荷(Qg)和導(dǎo)通電阻(RDS(ON))以及針對輕負載優(yōu)化的電容曲線，使應(yīng)用能夠?qū)崿F(xiàn)更高的工作頻率和更高的能效，簡化熱管理設(shè)計并降低EMI干擾。
這些新器件非常適用于電動汽車充電樁、電信設(shè)備或數(shù)據(jù)中心電源轉(zhuǎn)換器和太陽能逆變器等，更穩(wěn)定的性能和更高的功率密度讓應(yīng)用設(shè)計的電能額定參數(shù)更加優(yōu)異。 MDmesh DM6系列屬于STPOWER產(chǎn)品組合，全系共有23款產(chǎn)品，額定輸出電流范圍15A至72A，柵極電荷(Qg) 20nC至117nC，RDS(ON)電阻0.240 ?至0.036 ?，采用主流的功率封裝，包括新的低電感無引線TO-LL、PowerFLAT 8x8 HV、D2PAK、TO-220和TO-247，其中TO-247配備短引線、長引線或Kelvin引腳，適合有精密電流檢測需求的應(yīng)用。 MDmesh DM6系列現(xiàn)已量產(chǎn)，若想了解價格和索取樣片，請聯(lián)系當?shù)氐囊夥ò雽?dǎo)體辦事處。 詳情訪問www.st.com/stpower。 
編輯：admin 最后修改時間：2019-01-23
