Vishay發(fā)布2016年“Super 12”明星精選產(chǎn)品
日前，VishayIntertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)公布了2016年的“Super 12”特色產(chǎn)品。每年，Vishay都會(huì)挑出12款半導(dǎo)體器件和無(wú)源元件，這些器件采用新的和改進(jìn)后的技術(shù)，能夠顯著提高終端產(chǎn)品和系統(tǒng)性能。Vishay的Super 12明星精選產(chǎn)品代表了公司在半導(dǎo)體和無(wú)源器件領(lǐng)域的領(lǐng)先水平，讓人能夠從中管窺Vishay寬泛的產(chǎn)品組合。
2016年的Super 12明星精選產(chǎn)品如下：
VishayT58系列vPolyTan?固鉭表面貼裝片式電容器—T58系列采用聚合物鉭技術(shù)和Vishay的高效MicroTan?封裝，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最好的容量-電壓等級(jí)，有6個(gè)模塑外形—包括小尺寸M0(1608-10)外形的47μF-6.3V產(chǎn)品，BB(3528-20)尺寸的220μF-10V和330μF-6.3V產(chǎn)品—具有更高的容積效率，可用于手持式消費(fèi)電子產(chǎn)品。
VishaySemiconductors VEML6075 UVA和UVB光傳感器—VEML6075采用小尺寸2.0mm x 1.25mm x 1.0mm封裝，在可穿戴設(shè)備、智能手機(jī)和粒子探測(cè)器中能節(jié)省空間，是業(yè)內(nèi)首顆帶獨(dú)立通道輸出，可測(cè)量真實(shí)UV指數(shù)的UVA和UVB光傳感器。
VishayBCcomponents 220 ELDC ENYCAP?系列雙層儲(chǔ)能電容器—220 ELDC ENYCAP系列器件可用于能量采集、備用電源和UPS電源應(yīng)用，功率密度高達(dá)0.041Wh，在2.7V下的電容值從15F到40F，使用小型16mm x 20mm 至18mm x 31mm封裝。
VishayGeneral Semiconductor TPC11CA～TPC36CA表面貼裝PAR?瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)—這些器件通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證，是業(yè)內(nèi)首批峰值功率耗散達(dá)到1500W的雙向TVS，使用高度1.1mm的小尺寸SMPC(TO-277A)封裝。器件的工作結(jié)溫達(dá)到+175℃，滿足汽車(chē)、工業(yè)和通信應(yīng)用對(duì)高可靠性的要求。
VishayDale Thin Film PCAN系列高功率薄膜片式電阻—PCAN電阻是在氮化鋁襯底上制造的，額定功率達(dá)到6W，阻值從2Ω到30kΩ，外形尺寸為1206和2512。電阻適合用在工業(yè)、國(guó)防和醫(yī)療應(yīng)用中的緩沖電路和載荷、柵極負(fù)載和放大器端接電阻。
VishaySilicoNIx SUM70040E/SUP70040E 100V N溝道MOSFET—ThunderFET?功率MOSFET的最大導(dǎo)通電阻為4mΩ，比前一代器件的每平方毫米的導(dǎo)通電阻低60%，在從太陽(yáng)能微逆變器到電動(dòng)汽車(chē)充電站的各種應(yīng)用中能大大降低功率損耗，提高效率。
VishaySfernice PLA51中功率平面變壓器—PLA51平面變壓器的功率從1kW到3kW，尺寸為70mm x 53mm x 22mm，提供超過(guò)99%的高效率，典型應(yīng)用為DC/DC功率轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車(chē)的車(chē)載充電器、電源控制冷卻單元和太陽(yáng)能逆變器。
VishaySiliconix SiC530 VRPower?集成式DrMOS功率級(jí)—SiC530將驅(qū)動(dòng)、高邊及低邊MOSFET組合在3.5mm x 4.5mm的PowerPAK?封裝里，占位面積比分立式方案小45%，但卻具有連續(xù)電流達(dá)30A，峰值電流40A的高功率密度。
VishayDraloric TNPV系列高壓薄膜片式電阻—TNPV薄膜片式電阻是業(yè)內(nèi)首個(gè)工作電壓達(dá)到1000V的此類(lèi)器件，能替代更大的電阻和近似外形尺寸的多顆器件，來(lái)節(jié)省電路板空間，降低成本。這些電阻具有低電壓系數(shù)、嚴(yán)格的公差和低溫度系數(shù)，可用于精確電壓測(cè)量。
VishaySiliconix SiHH26N60E/600V E系列功率MOSFET—600V MOSFET采用小尺寸PowerPAK 8 x 8封裝，比TO-263(D2PAK)封裝的器件小57%，高度只有其1/5。另外，MOSFET的Kelvin源連接通過(guò)減少柵極接地回路，提高了性能。
VishayDale IHLD系列超薄、大電流雙片電感器—IHLD系列器件在汽車(chē)和商用D類(lèi)放大器中能節(jié)省空間，兩個(gè)IHLP?型電感器垂直地放在3232或4032封裝內(nèi)。器件具有軟飽和特性，兩個(gè)相鄰電感器之間實(shí)現(xiàn)低耦合，失真少，可輸出高質(zhì)量的音頻。
VishayGeneral Semiconductor V35PWxxx/V40PWxxx TMBS?整流器—整流器的電流密度達(dá)到40A，采用高度1.3mm的表面貼裝SlimDPAK封裝。V35PWxxx / V40PWxxx比DPAK封裝薄57%，散熱面積多14%，熱性能更好。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2017-12-13
