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Vishay推出用于直接IGBT安裝的鍍金屬聚丙烯膜緩沖電容器

作者:admin 來源:不詳 發(fā)布時間:2017-09-05  瀏覽:49

Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款高性能鍍金屬聚丙烯膜緩沖電容器---Vishay Roederstein MKP386M,該器件可直接安裝在絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)模塊上,容量從0.047μF到10μF,可在+105℃高溫下工作,有700VDC~2500VDC和420VAC~800VAC共7個電壓等級。

MKP386M可承受2500V/μs的高能脈沖和1850A的峰值電流,壽命超過30萬小時,可減少由切換IGBT引起的電壓和電流尖峰,這種尖峰是電磁干擾(EMI)的重要來源。典型應用包括功率轉(zhuǎn)換器、頻率轉(zhuǎn)換器,以及風力機逆變器、中功率和高功率太陽能逆變器、汽車動力總成中的電機驅(qū)動。Vishay還提供結(jié)構(gòu)長度58mm的器件,用于高功率IGBT模塊。

緩沖電容器的ESR低至1.5mΩ,容量公差±5 %,引線間隔的每毫米自感為0.7nH,RMS電流高達20A。器件采用阻燃塑料外殼和環(huán)氧樹脂密封,無鉛、無鹵素,符合RoHS指令。

MKP386M現(xiàn)可提供樣品,并已實現(xiàn)量產(chǎn),供貨周期為十周到十二周。

編輯:admin  最后修改時間:2017-09-05

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