晶振負(fù)載電容的作用解析
晶振負(fù)載電容在電容行業(yè)領(lǐng)域中是十分暢銷的產(chǎn)品之一，那么這樣的電容有怎樣的作用呢？不妨跟隨穎特新小編一起來了解一下晶振負(fù)載電容的作用以及相關(guān)信息吧。
所謂的負(fù)載電容是指在電路中跨接晶體兩端的總的外界有效電容。這不僅是一個(gè)測試條件，也是一個(gè)使用條件。應(yīng)用時(shí)一般在給出負(fù)載電容值附近調(diào)整可以得到精確頻率。此電容的大小主要影響負(fù)載諧振頻率和等效負(fù)載諧振電阻。常規(guī)的負(fù)載電容20pF，負(fù)載電容就是32pF比較匹配。
晶振的負(fù)載電容公式=[(Cd*Cg)/(Cd+Cg)]+Cic+△C
式中Cd,Cg為分別接在晶振的兩個(gè)腳上和對地的電容,Cic（集成電路內(nèi)部電容）+△C（PCB上電容）經(jīng)驗(yàn)值為3至5pf。因此，晶振的數(shù)據(jù)表中規(guī)定12pF的有效負(fù)載電容要求在每個(gè)引腳XIN與XOUT上具有22pF（2 * 12pF = 24pF = 22pF + 2pF寄生電容）。兩邊電容為Cg,Cd,負(fù)載電容為Cl，cl=cg*cd/(cg+cd)+a。就是說負(fù)載電容15pf的話，兩邊兩個(gè)接27pf就比較適宜。
各種邏輯芯片的晶振引腳可以等效為電容三點(diǎn)式振蕩器。晶振引腳的內(nèi)部通常是一個(gè)反相器,或者是奇數(shù)個(gè)反相器串聯(lián)。在晶振輸出引腳XO和晶振輸入引腳XI之間用一個(gè)電阻連接,對于CMOS芯片通常是數(shù)M到數(shù)十M歐之間.很多芯片的引腳內(nèi)部已經(jīng)包含了這個(gè)電阻,引腳外部就不用接了。這個(gè)電阻是為了使反相器在振蕩初始時(shí)處于線性狀態(tài),反相器就如同一個(gè)有很大增益的放大器,以便于起振。
晶振負(fù)載電容的作用其實(shí)簡單來說就是能夠達(dá)到起振的效果。當(dāng)然，在不同的電路中所需要的電容是不同的，因此是可以根據(jù)實(shí)際的需求來選擇適合的電容，畢竟每個(gè)電容的作用是有一定區(qū)別的。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2024-07-12
