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最新消息，日本政府23日開始施行《外匯及外國貿(mào)易法》的修改省令，將尖端半導(dǎo)體領(lǐng)域的23個(gè)品類追加為出口管制對象。
據(jù)日本《外匯法》，對可用于軍事目的的武器等民用物品的出口進(jìn)行管制，出口需要事先獲得經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省的許可。雖然中國和其他特定國家和地區(qū)未被明確列為受監(jiān)管對象，但新增的23個(gè)項(xiàng)目將需要單獨(dú)許可證，不包括友好國家等42個(gè)國家和地區(qū)的許可證，這給中國和其他國家的出口帶來了實(shí)際困難。
與此同時(shí)，東京電子等約10家企業(yè)的對華出口預(yù)計(jì)將受到影響。日本正式實(shí)施新芯片設(shè)備出口管制涉及的對象是在半導(dǎo)體制造中“前工序”所需的品類，23個(gè)品類包括極紫外（EUV）相關(guān)產(chǎn)品的制造設(shè)備，及可立體堆疊存儲元件的蝕刻設(shè)備等。
具體來看，日本政府新增的半導(dǎo)體方向出口管控對象明細(xì)：
清洗設(shè)備：半導(dǎo)體前段工藝除去表面異物的清洗設(shè)備；
成膜設(shè)備：利用等離子旋轉(zhuǎn)晶圓，形成原子級別膜的設(shè)備，利用EUV光掩膜的成膜設(shè)備，準(zhǔn)確形成硅膜、硅化合物膜的設(shè)備；
熱處理：通過熱處理，除去薄膜內(nèi)空隙的設(shè)備；
曝光：EUV涂覆、顯影設(shè)備，防護(hù)板(EUV光掩膜方向)生產(chǎn)設(shè)備，ArF液浸式曝光設(shè)備；
蝕刻：具有立體結(jié)構(gòu)的最尖端的蝕刻設(shè)備；
檢查：EUV光掩膜檢測設(shè)備。
對此，今天中國外交部發(fā)言人毛寧說，日方不顧中方的嚴(yán)重關(guān)切，執(zhí)意出臺和實(shí)施對華指向性明顯的出口管制措施，中方深感遺憾和不滿，已經(jīng)在不同層級向日方提出了嚴(yán)正交涉。
毛寧說，中方敦促日方從中日經(jīng)貿(mào)合作的全局和自身長遠(yuǎn)利益出發(fā)，恪守國際經(jīng)貿(mào)規(guī)則，不得濫用出口管制措施，避免有關(guān)舉措干擾兩國正常的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作。我們將密切關(guān)注管制政策的影響，堅(jiān)決維護(hù)自身的利益。
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