東芝NAND閃存：TC58NYG0S3HBAI4
TC58NYG0S3HBAI4
TC58NYG0S3HBAI4 是一個單一的 1.8V1 Gbit(1,140 ，850 ，688 位) NAND 電氣可擦除和可編程只讀存儲器 (NANDE2PROM) 組織為 (2048 ，128)字節(jié)× 64 頁× 1024 塊。該設備具有2176字節(jié)的靜態(tài)寄存器，其允許程序和讀取數(shù)據(jù)以2176字節(jié)的增量在寄存器和存儲器單元陣列之間傳輸。擦除操作是在單個塊單元中實現(xiàn)的(128千字節(jié)，8千字節(jié)：2176字節(jié)×64頁)。
TC58NYG0S3HBAI4 是一種串行類型的存儲設備，它利用 I/O引腳進行地址和數(shù)據(jù)輸入/ 輸出以及命令輸入。自動執(zhí)行擦除和程序操作，使該設備最適合于諸如固態(tài)文件存儲、語音記錄、靜止相機圖像文件存儲器等應用。以及其他需要高密度、非易失性存儲器數(shù)據(jù)存儲的系統(tǒng)。
編輯：admin 最后修改時間：2019-09-06
