川土微電子隔離電源的輻射抑制設(shè)計(jì)參考（四）
對(duì)比實(shí)驗(yàn)
1. 初級(jí)VCC對(duì)GNDA以及次級(jí)VISO對(duì)GNDB的PCB拼接電容各為約500pF(參考圖 2 和圖 10)。 分立器件只有 10μF 儲(chǔ)能電容， 無(wú)去耦電容， 輻射測(cè)試結(jié)果如下圖 16;
2. 初級(jí)VCC對(duì)GNDA以及次級(jí)VISO對(duì)GNDB的PCB拼接電容各為約400pF+400pF(參考圖 2 和圖 10)。分立器件只有 10μF 儲(chǔ)能電容， 無(wú)去耦電容， 輻射測(cè)試結(jié)果如下圖 17;
3. 初級(jí) VCC對(duì) GNDA 以及次級(jí) VISO 對(duì) GNDB 的 PCB 拼接電容各為約 400pF+400pF。 分立器件除了 10μF儲(chǔ)能電容外， 加入10nF+470pF去耦電容， 參考圖18， 輻射測(cè)試結(jié)果如下圖 19;
4. 初級(jí) VCC對(duì) GNDA 以及次級(jí) VISO 對(duì) GNDB 的 PCB 拼接電容各為約 400pF+400pF。 分立器件除了 10μF儲(chǔ)能電容外， 加入型號(hào)為FBG1005-601Y的磁珠，參考圖 20， 輻射測(cè)試結(jié)果如下圖 21。
實(shí)驗(yàn)表明：
1． 初級(jí)地 GNDA 和次級(jí)地 GNDB 的 PCB 拼接電容對(duì)30MHz-1GH 整體頻段內(nèi)的輻射有大幅度的改善， 約降低 20dBμ V/m;
2． 初級(jí) VCC對(duì) GNDA 以及次級(jí) VISO 對(duì) GNDB 的 PCB 拼接電容 30MHz-1GH 整體頻段的輻射有大幅度的改善， 約降低 10dBμ V/m;
3． 初級(jí) VCC對(duì) GNDA 以及次級(jí) VISO 對(duì) GNDB 的分立器件去耦電容 10nF 和 470pF 對(duì) 150MHz 處的輻射約降低 20 dBμ V/m，對(duì)其他頻段也有不同幅度的改善；
4． 型號(hào)為 FBG1005-601Y 的磁珠對(duì) 70MHz 處的輻射約降低 3dBμ V/m。
示例
綜上所述，下面是CA-IS3092W的4層PCB的布線(xiàn)實(shí)例。PCB長(zhǎng)和寬都為99mm，厚度為1.0mm。第一層信號(hào)層和第二層信號(hào)層之間的絕緣層厚度為0.2mm，第二層和第三層之間的絕緣層厚度為0.465mm，第三層和第四層信號(hào)層之間的厚度為0.2mm。初級(jí)地GNDA和次級(jí)地GNDB的拼接電容約為180pF；VCC對(duì)GNDA以及VISO對(duì)GNDB的拼接電容約為400pF+400pF；做了相應(yīng)的邊緣防護(hù)。PCB的各個(gè)層布線(xiàn)如下所示。FBL1和FBL2選取型號(hào)為FBG1005-601Y的磁珠，C2和C5分別選取10μF，C3、C6和C4、C7分別選取10nF和470pF，測(cè)試結(jié)果如圖21所示，滿(mǎn)足EN55032的classA類(lèi)輻射標(biāo)準(zhǔn)，比其限值低了10.4dBμV/m。
總結(jié)
以上提出了抑制輻射干擾的方法，總結(jié)如下：
1.初級(jí)地 GNDA 和次級(jí)地 GNDB 之間的 PCB 拼接電容對(duì)抑制輻射的作用比較大， 其拼接電容的好壞將直接決定整體輻射水平的高低；
2. 初級(jí) VCC 對(duì) GNDA 以及次級(jí) VISO 對(duì) GNDB 的 PCB 拼接電容對(duì)抑制輻射的作用也很大， 分立器件的供電電容和耦合電容的擺放位置、選型及 PCB 布線(xiàn)對(duì)輻射的影響相對(duì)比較關(guān)鍵；
3.邊緣防護(hù)的設(shè)計(jì)以及磁珠的合理選用可進(jìn)一步降低輻射干擾。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2023-05-21
