cog電容與NPO電容的區(qū)別所在
選購(gòu)電容的時(shí)候都是有一定的要求和標(biāo)準(zhǔn)的。不僅要選擇品牌知名度高的，更要根據(jù)相關(guān)的參數(shù)來(lái)選擇。相關(guān)的參數(shù)是能夠有效選擇正確電容的重要參考。因?yàn)楦鶕?jù)參數(shù)可以了解到電容適宜的溫度和場(chǎng)所。
就拿cog電容來(lái)說(shuō)，C0G電容器具有高溫度補(bǔ)償特性，適合作旁路電容和耦合電容。這是最為基本的常識(shí)，在參數(shù)中都會(huì)呈現(xiàn)出來(lái)。
COG即芯片被直接邦定在玻璃上。這種安裝方式可以大大減小LCD模塊的體積，且易于大批量生產(chǎn)，適用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品的LCD，如：手機(jī)，PDA等便攜式產(chǎn)品，這種安裝方式，在IC生產(chǎn)商的推動(dòng)下，將會(huì)是今后IC與LCD的主要連接方式。
相對(duì)大于±2%的薄膜電容來(lái)說(shuō)是可以忽略不計(jì)的。其典型的容量相對(duì)使用壽命的變化小于±0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。
在諸多的電容中，NPO與cog電容一樣都是屬于溫度補(bǔ)償型電容。而NPO的電容器采用的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55℃到+125℃時(shí)容量變化為0±30ppm/℃,電容量隨頻率的變化小于±0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后小于±0.05%,相對(duì)大于±2%的薄膜電容來(lái)說(shuō)是可以忽略不計(jì)的。
cog電容與NPO電容是有著本質(zhì)區(qū)別的。但是都是屬于溫度補(bǔ)償型電容，因此在選擇的時(shí)候需要分辨清楚兩者，避免混淆而導(dǎo)致選擇不當(dāng)。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2023-05-26
