您好，歡迎進(jìn)入深圳市穎特新科技有限公司官方網(wǎng)站！
您好，歡迎進(jìn)入深圳市穎特新科技有限公司官方網(wǎng)站！
全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達(dá)克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝（TO-247-4L）的新型 SuperGaN 器件。新發(fā)布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫歐和 50 毫歐的導(dǎo)通電阻，并配有一個(gè)開爾文源極端子，以更低的能量損耗為客戶實(shí)現(xiàn)更全面的開關(guān)功能。新產(chǎn)品將采用Transphorm成熟的硅襯底氮化鎵制程，該制造工藝不僅可靠性高，而且具有良好的成本效益，非常適合現(xiàn)有硅基生產(chǎn)線量產(chǎn)。目前，50 毫歐 TP65H050G4YS FET 已可供貨，35 毫歐 TP65H035G4YS FET 正在出樣，預(yù)計(jì)將于 2024 年一季度供貨上市。
一千瓦及以上功率級的數(shù)據(jù)中心、可再生能源和各種工業(yè)應(yīng)用的電源中，Transphorm 的 4 引腳 SuperGaN器件可作為原始設(shè)計(jì)選項(xiàng)，也可直接替代現(xiàn)有方案中的4 引腳硅基和 SiC器件。4引腳配置能夠進(jìn)一步提升開關(guān)性能，從而為用戶提供靈活性。在硬開關(guān)同步升壓型轉(zhuǎn)換器中，與導(dǎo)通電阻相當(dāng)?shù)?SiC MOSFET相比，35 毫歐 SuperGaN 4 引腳 FET 器件在 50 千赫茲（kHz）下，損耗減少了 15%，而在 100 kHz 下的損耗則降低了 27%。
Transphorm 的 SuperGaN FET 器件所具有的獨(dú)特優(yōu)勢包括：
· 業(yè)界領(lǐng)先的穩(wěn)健性：+/- 20V 柵極閾值和 4 V 抗擾性。
· 更優(yōu)的可設(shè)計(jì)性：減少器件周邊所需電路。
· 更易于驅(qū)動(dòng)：SuperGaN FET 能使用硅器件所常用的市售驅(qū)動(dòng)器。
新發(fā)布的TO-247-4L 封裝器件具有相同的穩(wěn)健性、易設(shè)計(jì)性和易驅(qū)動(dòng)性，其核心技術(shù)規(guī)格如下：
器件型號 | Vds (V) 最小值 | Rds(on)(mΩ) 型 | Vth (V) 型 | Id (25°C) (A) 最大值 | 封裝 | |
TP65H035G4YS | 650 | 35 | 3.6 | 46.5 |
配有源極端子 | |
TP65H050G4YS | 650 | 50 | 4 | 35 | 配有源極端子 |
Transphorm 業(yè)務(wù)發(fā)展及市場營銷高級副總裁 Philip Zuk 表示：“Transphorm 將繼續(xù)拓展產(chǎn)品線，向市場推出多樣化的氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET）。無論客戶有什么樣的設(shè)計(jì)需求，Transphorm都能夠幫助客戶充分利用SuperGaN平臺(tái)的性能優(yōu)勢。四引腳 TO-247 封裝的SuperGaN為設(shè)計(jì)人員和客戶帶來提供極佳的靈活性——只需在硅或碳化硅器件的系統(tǒng)上做極少的設(shè)計(jì)修改（或者根本不需要進(jìn)行任何設(shè)計(jì)修改），就能實(shí)現(xiàn)更低的電源系統(tǒng)損耗。Transphorm正在加速進(jìn)入更高功率的應(yīng)用領(lǐng)域，新推出的這兩款器件是公司產(chǎn)品線的一個(gè)重要補(bǔ)充。”
供貨情況
如需索取 35 毫歐和 50 毫歐 TO-247-4L FET 器件樣品，請聯(lián)系 Transphorm 銷售團(tuán)隊(duì)：wwsales@transphormusa.com。點(diǎn)擊以下鏈接，查閱每款器件的產(chǎn)品資料：
· TP65H035G4YS 產(chǎn)品數(shù)據(jù)表：https://www.transphormusa.com/en/document/data-sheet-tp65h035g4ys/
· TP65H050G4YS 產(chǎn)品數(shù)據(jù)表：https://www.transphormusa.com/en/document/data-sheet-tp65h050g4ys/
關(guān)于Transphorm
Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領(lǐng)導(dǎo)者，致力于設(shè)計(jì)、制造和銷售用于高壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導(dǎo)體功率器件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合之一，持有或取得授權(quán)的專利超過1,000多項(xiàng)，在業(yè)界率先生產(chǎn)經(jīng)JEDEC和AEC-Q101認(rèn)證的高壓氮化鎵半導(dǎo)體器件。得益于垂直整合的業(yè)務(wù)模式，公司能夠在產(chǎn)品和技術(shù)開發(fā)的每一個(gè)階段進(jìn)行創(chuàng)新：設(shè)計(jì)、制造、器件和應(yīng)用支持。Transphorm的創(chuàng)新使電力電子設(shè)備突破硅的局限性，以使效率超過99%、將功率密度提高50%以及將系統(tǒng)成本降低20%。Transphorm的總部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本會(huì)津設(shè)有制造工廠。請?jiān)L問官網(wǎng)www.transphormusa.cn了解更多信息，歡迎關(guān)注微信公眾號：TransphormGaN氮化鎵
掃碼關(guān)注我們
傳真：0755-82591176
郵箱：vicky@yingtexin.net
地址：深圳市龍華區(qū)民治街道民治大道973萬眾潤豐創(chuàng)業(yè)園A棟2樓A08
