5月SK海力士存儲芯片及三星停產(chǎn)DDR3產(chǎn)線對于供應(yīng)鏈影響
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海力士存儲芯片 SK存儲芯片三星DDR3 發(fā)布時間：2024-05-30
5月，消費類需求維持低速增長，存儲芯片量價齊升態(tài)勢明顯，關(guān)注SK海力士及三星停產(chǎn)DDR3產(chǎn)線對于供應(yīng)鏈影響。
月度行情分析
半導(dǎo)體行業(yè)包括集成電路、光電器件、分立器件、傳感器等子行業(yè)，其中集成電路又可根據(jù)功能細(xì)分為存儲器、邏輯電路、模擬電路、微處理器等領(lǐng)域。根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計（WSTS）數(shù)據(jù)，2021 年全球半導(dǎo)體行業(yè)規(guī)模達(dá)到5559億美元，同比增長 26%。其中存儲器細(xì)分賽道的占比為28%，市場規(guī)模為1538億美元，同比增長 31%，是半導(dǎo)體市場中規(guī)模最大的子行業(yè)。此外，2021 年全球光電子器件、分立器件、傳感器市場規(guī)模分別為 424.04、303.37、191.49 億美元，占比分別為 8%、5%、3%。
存儲芯片是半導(dǎo)體核心元器件之一，根據(jù)其性質(zhì)可劃分為不同的類型。按照掉電后數(shù)據(jù)是否可以繼續(xù)保存在器件內(nèi)，存儲芯片可分為掉電易失和掉電非易失兩種，其中易失存儲芯片主要包含靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SRAM）和動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）；非易失性存儲器主要包括可編程只讀存儲器（PROM），閃存存儲器（Flash）和可擦除可編程只讀寄存器（EPROM/EEPROM）等。
材料端庫存去化低于預(yù)期，代工需求分化持續(xù)，汽車芯片需求增長疲軟，存儲行情持續(xù)回升。
終端需求延續(xù)分化走勢，消費類需求呈弱勢復(fù)蘇，汽車競爭激烈下供應(yīng)鏈波動明顯，關(guān)注工業(yè)、新能源市場變化。
MCU等車規(guī)級產(chǎn)品需求波動，價格部分延續(xù)倒掛；消費等通用料芯片需求回升明顯，價格波動上升；關(guān)注ADC等模擬芯片市場價格變動。
