意法半導體 45W 和 150W MasterGaN
為了便于向高效寬帶隙技術的過渡，意法半導體發(fā)布了分別適用于高達 45W 和 150W 的應用的 MasterGaN3 和 MasterGaN5 集成功率封裝。
加入面向 65W 至 400W 應用的 MasterGaN1、MasterGaN2 和 MasterGaN4，這些新增產(chǎn)品為設計開關電源、充電器、適配器、高壓功率因數(shù)校正時選擇最佳 GaN 器件和驅動器解決方案提供了額外的靈活性(PFC) 和 DC/DC 轉換器。
ST 的 MasterGaN 概念簡化了從普通硅 MOSFET 到 GaN 寬帶隙電源技術的遷移。這些器件將兩個 650V 功率晶體管與優(yōu)化的高壓柵極驅動器以及相關的安全和保護電路集成在一起，從而消除了柵極驅動器和電路布局設計挑戰(zhàn)。結合 GaN 晶體管可能實現(xiàn)的更高開關頻率，這些集成器件使電源比基于硅的設計小 80%，并且極其堅固可靠。
MasterGaN3 器件的 GaN 功率晶體管具有 225mΩ 和 450mΩ 的非對稱導通電阻 (Rds(on))，使這些器件適用于軟開關和有源整流轉換器。在 MasterGaN5 中，兩個晶體管都具有 450mΩ Rds(on)，可用于 LLC 諧振和有源鉗位反激等拓撲。
與其他 MasterGaN 系列成員一樣，這兩款器件的輸入都與 3.3V 至 15V 的邏輯信號兼容，從而簡化了主機 DSP、FPGA 或微控制器與霍爾傳感器等外部設備的連接。它們還集成了保護，包括低側和高側欠壓鎖定 (UVLO)、柵極驅動器互鎖、過熱保護和關斷引腳。
每個 MasterGaN 器件都有一個專用原型板支持，以幫助設計人員快速啟動新的電源項目。EVALMASTERGAN3 和 EVALMASTERGAN5 板包含生成單端或互補驅動信號的電路。有一個可調的死區(qū)時間發(fā)生器，以及供用戶應用單獨輸入信號或 PWM 信號的連接，添加一個外部自舉二極管來幫助容性負載，并插入一個低側分流電阻器用于峰值電流-模式拓撲。
MasterGaN3 和 MasterGaN5 采用 9mm x 9mm GQFN 封裝，針對高壓應用進行了優(yōu)化，高壓和低壓焊盤之間的爬電距離為 2mm。
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編輯：ls 最后修改時間：2022-08-09
