ST推出功能豐富的電氣隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，為碳化硅或硅功率晶體管提供更好控制和保護(hù)
- 有源米勒鉗位選配，提升高速開關(guān)抗干擾能力 中國(guó)，2018年8月3日——意法半導(dǎo)體的STGAP2S單路電氣隔離柵極驅(qū)動(dòng)器提供26V的最大柵極驅(qū)動(dòng)輸出電壓，準(zhǔn)許用戶選擇獨(dú)立的導(dǎo)通/關(guān)斷輸出或內(nèi)部有源米勒鉗位功能，可用于各種開關(guān)拓?fù)淇刂铺蓟瑁⊿iC）或硅MOSFET和IGBT功率晶體管。 STGAP2SCM配備一個(gè)有源米勒鉗位專用引腳，為設(shè)計(jì)人員防止半橋配置晶體管意外導(dǎo)通提供一個(gè)簡(jiǎn)便的解決方案。在MOSFET關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，該引腳可將所連MOSFET的柵電壓限制在隔離接地電壓，直到下一個(gè)真正的導(dǎo)通信號(hào)出現(xiàn)為止。 STGAP2SM具有獨(dú)立的導(dǎo)通/關(guān)斷輸出，可配合兩個(gè)外部柵極電阻來優(yōu)化晶體管開關(guān)性能。
STGAP2S柵極驅(qū)動(dòng)器全系標(biāo)配4A軌到軌輸出，即使驅(qū)動(dòng)大功率逆變器，也能保證開關(guān)操作快速、高效。輸入到輸出傳播延遲在80ns以內(nèi)，在高開關(guān)頻率下確保PWM控制精確，滿足SiC器件的驅(qū)動(dòng)要求。出色的抗dV / dt共模瞬變干擾能力，使其能夠防止耗能的雜散開關(guān)操作。 這些器件內(nèi)置1700V電氣隔離功能，可以降低消費(fèi)級(jí)或工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、600V或1200V變頻器、DC / DC轉(zhuǎn)換器、充電器、電焊機(jī)、感應(yīng)爐、不間斷電源（UPS）和功率因數(shù)校正（PFC）控制器的物料成本。 這些產(chǎn)品集成全面的保護(hù)功能，其中，欠壓鎖定（UVLO）可在電源電壓過低時(shí)保護(hù)電源開關(guān)。此外，過熱保護(hù)和硬件互鎖可以防止半橋電路中的高邊/低邊交叉導(dǎo)通；待機(jī)模式可在節(jié)省電源的同時(shí)將輸出保持在安全狀態(tài)。 EVALSTGAP2SCM評(píng)估板提供了一個(gè)快速、簡(jiǎn)便的開發(fā)方法，方便設(shè)計(jì)人員快速開始設(shè)計(jì)。 STGAP2SCM現(xiàn)已上市，STGAP2SM于2018年第四季度上市，采用緊湊型工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SO-8功率封裝。 相關(guān)新聞 意法半導(dǎo)體高功率電子熔斷器集成增值保護(hù)功能，提高安全性和可靠性 意法半導(dǎo)體(ST)完整全橋系統(tǒng)封裝內(nèi)置MOSFET、柵驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)技術(shù)以節(jié)省空間，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，精簡(jiǎn)組裝 意法半導(dǎo)體600V超結(jié)功率模塊引入新封裝和新功能，簡(jiǎn)化電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì) 
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