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BL24C16AIIC,I2C,EEPROM,存儲器,24,16k,16產(chǎn)品簡介BL24C16A提供16384比特串行電可擦寫存儲器，組成2048個字節(jié)，每頁16個字節(jié)，共128頁。優(yōu)勢特點(diǎn)1.工作電壓：1.7~5.5V2.標(biāo)準(zhǔn)IIC接口通信協(xié)議3.硬件寫保護(hù)4.內(nèi)部上電復(fù)位5.最高1M工作頻率6.超低功耗設(shè)計，靜態(tài)功耗小于1μA[詳細(xì)]
BL24C128AIIC,I2C,EEPROM,存儲器,24,128k,128產(chǎn)品簡介BL24C128A提供131072比特串行電可擦寫存儲器，組成16384個字節(jié)，每頁64個字節(jié)，共256頁。優(yōu)勢特點(diǎn)1.工作電壓：1.7~5.5V2.標(biāo)準(zhǔn)IIC接口通信協(xié)議3.硬件寫保護(hù)4.內(nèi)部上電復(fù)位5.最高1M工作頻率6.超低功耗設(shè)計，靜態(tài)功耗小于1μA7.額外ID存儲器，提供芯片ID和產(chǎn)品[詳細(xì)]
BL24C08FIIC,I2C,EEPROM,存儲器,24,8k,08產(chǎn)品簡介BL24C08F提供8192比特串行電可擦寫存儲器，組成1024個字節(jié)，每頁16個字節(jié)，共64頁。優(yōu)勢特點(diǎn)1.工作電壓：1.7~5.5V2.標(biāo)準(zhǔn)IIC接口通信協(xié)議3.硬件寫保護(hù)4.內(nèi)部上電復(fù)位5.最高1M工作頻率6.超低功耗設(shè)計，靜態(tài)功耗小于1μA[詳細(xì)]
BL24C08AIIC,I2C,EEPROM,存儲器,24,8k,08產(chǎn)品簡介BL24C08A提供8192比特串行電可擦寫存儲器，組成1024個字節(jié)，每頁16個字節(jié)，共64頁。優(yōu)勢特點(diǎn)1.工作電壓：1.7~5.5V2.標(biāo)準(zhǔn)IIC接口通信協(xié)議3.硬件寫保護(hù)4.內(nèi)部上電復(fù)位5.最高1M工作頻率6.超低功耗設(shè)計，靜態(tài)功耗小于1μA[詳細(xì)]
BL24C04FIIC,I2C,EEPROM,存儲器,24,2K,04產(chǎn)品簡介BL24C04A提供4096比特串行電可擦寫存儲器，組成512個字節(jié)，每頁16個字節(jié)，共32頁。優(yōu)勢特點(diǎn)1.工作電壓：1.7~5.5V2.標(biāo)準(zhǔn)IIC接口通信協(xié)議3.硬件寫保護(hù)4.內(nèi)部上電復(fù)位5.最高1M工作頻率6.超低功耗設(shè)計，靜態(tài)功耗小于1μA[詳細(xì)]
BL24C04AIIC,I2C,EEPROM,存儲器,24,4k,04產(chǎn)品簡介BL24C04A提供4096比特串行電可擦寫存儲器，組成512個字節(jié)，每頁16個字節(jié)，共32頁。優(yōu)勢特點(diǎn)1.工作電壓：1.7~5.5V2.標(biāo)準(zhǔn)IIC接口通信協(xié)議3.硬件寫保護(hù)4.內(nèi)部上電復(fù)位5.最高1M工作頻率6.超低功耗設(shè)計，靜態(tài)功耗小于1μA[詳細(xì)]
BL24C02FIIC,I2C,EEPROM,存儲器,24,2K,02產(chǎn)品簡介BL24C02F提供2048比特串行電可擦寫存儲器，組成256個字節(jié)，每頁16個字節(jié)，共16頁。優(yōu)勢特點(diǎn)1.工作電壓：1.7~5.5V2.標(biāo)準(zhǔn)IIC接口通信協(xié)議3.硬件寫保護(hù)4.內(nèi)部上電復(fù)位5.最高1M工作頻率6.超低功耗設(shè)計，靜態(tài)功耗小于1μA[詳細(xì)]
BL24C02AIIC,I2C,EEPROM,存儲器,24,2k,02產(chǎn)品簡介BL24C02A提供2048比特串行電可擦寫存儲器，組成256個字節(jié)，每頁16個字節(jié)，共16頁。優(yōu)勢特點(diǎn)1.工作電壓：1.7~5.5V2.標(biāo)準(zhǔn)IIC接口通信協(xié)議3.硬件寫保護(hù)4.內(nèi)部上電復(fù)位5.最高1M工作頻率6.超低功耗設(shè)計，靜態(tài)功耗小于1μA[詳細(xì)]
E3000 Pro系列U.2 SSD數(shù)據(jù)中心級別的服務(wù)器U.2 PCIe SSD加載數(shù)據(jù)中心級別的控制器，性能出色，針對密集型數(shù)據(jù)讀寫的設(shè)計，支持2TB~8TB容量段，最高可支持傳輸性能為R=3500MB/s, W=3000MB/s。在同規(guī)格中，實(shí)現(xiàn)超低功耗，為數(shù)據(jù)中心提供解決方案。[詳細(xì)]
E3000 Pro系列 M.2 PCIE 2280 SSDPCIe Gen3×4，超高速企業(yè)級M.2 PCIe SSD遵循PCle Gen3x4標(biāo)準(zhǔn)，支持256GB~2TB容量段，內(nèi)建高性能的外置DDR4緩存芯片，最高可支持傳輸性能為R=3500MB/s, W=3000MB/s。更高速度，更大容量，更長壽命，保障了數(shù)據(jù)安全性和可靠性。[詳細(xì)]
E2000 pro性能級的企業(yè)M.2 PCIe SSD遵循PCle Gen3x4標(biāo)準(zhǔn)，支持128GB~1TB容量段，內(nèi)建高性能的外置DDR3緩存芯片，最高可支持傳輸性能為R=2000MB/s, W=1900MB/s。更高速度，更大容量，更長壽命，包裝數(shù)據(jù)安全性和可靠性。[詳細(xì)]
S3000 Pro系列SSDPCIe Gen3×4，超高速行業(yè)級M.2 PCIe SSD8通道NAND flash 并行讀取， 遵循NVMe協(xié)議標(biāo)準(zhǔn)，輕松滿足主流PC的存儲器解決方案需求。支持256GB~2TB容量段，最高可支持傳輸性能為R=3500MB/s, W=3000MB/s。提供多少種封裝規(guī)格組合，功耗低，性能提升，保障數(shù)據(jù)的可靠性，適合高要求的行業(yè)級客戶。[詳細(xì)]
S2000 pro高性價比的行業(yè)M.2 PCIe SSD采用PCIe Gen3×4 M Key端口，提供可實(shí)現(xiàn)更高性能的存儲空間，可支持128GB~1TB容量段，加入了DRAM做為數(shù)據(jù)緩存，最高可支持傳輸性能為R=2000MB/s, W=1600MB/s。I/O延遲更低，低耗能，支持電源管理等客戶端功能，是主流PC的理想選擇。[詳細(xì)]
新一代接口的筆記本M.2 PCIe SSD遵循新一代NVMe協(xié)議標(biāo)準(zhǔn)，兩款端口可選，接入通道更多，支持128GB~1TB容量段，最高可支持傳輸性能為R=2000MB/s, W=1600MB/s。具有多種尺寸選擇，為追求高性能大容量存儲需求的超薄電子產(chǎn)品首選。[詳細(xì)]
三星 LPDDR5 是一款高速的內(nèi)存芯片，具有高速傳輸、低延遲和低功耗等優(yōu)點(diǎn)。三星 LPDDR5 擁有最高的讀寫速度，可支持超過 5M Bytes/cycles 的數(shù)據(jù)傳輸速度，對于高性能的設(shè)備，如智能手機(jī)、平板電腦等，具有非常重要的地位。此外，三星 LPDDR5 還具有低延遲和低功耗等優(yōu)點(diǎn)。低延遲可以提高設(shè)備的響應(yīng)速度，低功耗[詳細(xì)]
上海貝嶺非揮發(fā)存儲器串口IIC類24C系列產(chǎn)品，容量從2K--2M, 以及各類封裝形式包括SOP、TSSOP、DIP、UDFN、WLCSP、TSOT[詳細(xì)]
國產(chǎn)EEPROM生產(chǎn)廠家 ——“上海貝嶺“ 擁有2K~2M全系列EEPROM產(chǎn)品，封裝形式從SOP，DIP，TSSOP，UDFN，TSOT23到WLCSP一應(yīng)俱全。產(chǎn)品特點(diǎn)：零靜態(tài)功耗、ESD 8KV 超越歐美品牌、品質(zhì)可靠，在LCD Panel/TV、網(wǎng)通設(shè)備、儀表、CCM等領(lǐng)域擁有數(shù)億顆的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。[詳細(xì)]
什么是EEPROM讀書次數(shù)？開發(fā)電子產(chǎn)品時，常常需要斷電后保存某些數(shù)據(jù)，這就需要使用EEPROM芯片，這種芯片，可擦除的次數(shù)是有限制的，通常EEPROM為100萬甚至1000萬次。EEPROM可以單個字節(jié)進(jìn)行擦除，存儲容量不大，只適合存儲少量的設(shè)置數(shù)據(jù)。[詳細(xì)]
EEPROM (Electrically Erasable Programmable read only memory) 是指帶電可擦可編程只讀存儲器 是一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲芯片， EEPROM 可以在電腦上或?qū)Ｓ迷O(shè)備上擦除已有信息 重新編程，一般用在即插即用 EEPROM（帶電可擦可編程只讀存儲器）是用戶可更改的只讀存儲器（ROM） 其可通[詳細(xì)]
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