W25Q02NW_DTRfacebooktwitterlinkedIn2G-bit Serial Flash Memory with uniform 4KB sectors and Dual/Quad SPIDensity2GbIndustrial StatusSamplingVcc1.7V - 1.95VFrequency133MHzPackageTFBGA24 6X8mm (5x5 Matrix)Temperature Range-40℃ ~ 85℃Feature ListSingle / Dual / Quad SPI & QPISPI/QPI/DTR[詳細(xì)]
W25Q02JV_DTRfacebooktwitterlinkedIn2G-bit Serial Flash Memory with uniform 4KB sectors and Dual/Quad SPIDensity2GbIndustrial StatusMass ProductionVcc2.7V - 3.6VFrequency133MHzPackageTFBGA24 6X8mm (5x5 Matrix)Temperature Range-40℃ ~ 85℃Feature ListSPI/QPI/DTR (Double Transfer Rate) Read[詳細(xì)]
W25H02JV_DTRfacebooktwitterlinkedIn2G-bit Serial Flash Memory with uniform 4KB sectors and Dual/Quad SPI with ECCDensity2GbIndustrial Status-Vcc2.7V - 3.6VFrequency133MHzPackageTFBGA24 6X8mm (5x5 Matrix)Temperature Range-40℃ ~ 125℃Feature ListOn-Chip ECCSPI/QPI/DTR (Double Transfer Rat[詳細(xì)]
Serial NOR Flash支援SPI、Dual-SPI、Quad-SPI 與QPI的SpiFlash®記憶體華邦的W25X 與W25Q SpiFlash® Multi-I/O記憶體支援通用的SPI介面,容量從512Kb 到 512Mb,具有小容量分割的可擦除區(qū)塊與業(yè)界最高的操作效能。W25X系列支援Dual-SPI雙線(xiàn)輸出入模式,相當(dāng)于將原本標(biāo)準(zhǔn)SPI的操作頻率變?yōu)閮杀丁?W25Q系[詳細(xì)]
BL24C256AIIC,I2C,EEPROM,存儲(chǔ)器,24,256k,256產(chǎn)品簡(jiǎn)介BL24C256A提供262144比特串行電可擦寫(xiě)存儲(chǔ)器,組成32768個(gè)字節(jié),每頁(yè)64個(gè)字節(jié),共512頁(yè)。優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)1.工作電壓:1.7~5.5V2.標(biāo)準(zhǔn)IIC接口通信協(xié)議3.硬件寫(xiě)保護(hù)4.內(nèi)部上電復(fù)位5.最高1M工作頻率6.超低功耗設(shè)計(jì),靜態(tài)功耗小于1μA7.額外ID存儲(chǔ)器,提供芯片ID和產(chǎn)品[詳細(xì)]
BL24C16FIIC, I2C,EEPROM,存儲(chǔ)器,24,16k,16產(chǎn)品簡(jiǎn)介BL24C16F提供16384比特串行電可擦寫(xiě)存儲(chǔ)器,組成2048個(gè)字節(jié),每頁(yè)16個(gè)字節(jié),共128頁(yè)。優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)1.工作電壓:1.7~5.5V2.標(biāo)準(zhǔn)IIC接口通信協(xié)議3.硬件寫(xiě)保護(hù)4.內(nèi)部上電復(fù)位5.最高1M工作頻率6.超低功耗設(shè)計(jì),靜態(tài)功耗小于1μA[詳細(xì)]
BL24C16AIIC,I2C,EEPROM,存儲(chǔ)器,24,16k,16產(chǎn)品簡(jiǎn)介BL24C16A提供16384比特串行電可擦寫(xiě)存儲(chǔ)器,組成2048個(gè)字節(jié),每頁(yè)16個(gè)字節(jié),共128頁(yè)。優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)1.工作電壓:1.7~5.5V2.標(biāo)準(zhǔn)IIC接口通信協(xié)議3.硬件寫(xiě)保護(hù)4.內(nèi)部上電復(fù)位5.最高1M工作頻率6.超低功耗設(shè)計(jì),靜態(tài)功耗小于1μA[詳細(xì)]
BL24C128AIIC,I2C,EEPROM,存儲(chǔ)器,24,128k,128產(chǎn)品簡(jiǎn)介BL24C128A提供131072比特串行電可擦寫(xiě)存儲(chǔ)器,組成16384個(gè)字節(jié),每頁(yè)64個(gè)字節(jié),共256頁(yè)。優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)1.工作電壓:1.7~5.5V2.標(biāo)準(zhǔn)IIC接口通信協(xié)議3.硬件寫(xiě)保護(hù)4.內(nèi)部上電復(fù)位5.最高1M工作頻率6.超低功耗設(shè)計(jì),靜態(tài)功耗小于1μA7.額外ID存儲(chǔ)器,提供芯片ID和產(chǎn)品[詳細(xì)]
BL24C08FIIC,I2C,EEPROM,存儲(chǔ)器,24,8k,08產(chǎn)品簡(jiǎn)介BL24C08F提供8192比特串行電可擦寫(xiě)存儲(chǔ)器,組成1024個(gè)字節(jié),每頁(yè)16個(gè)字節(jié),共64頁(yè)。優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)1.工作電壓:1.7~5.5V2.標(biāo)準(zhǔn)IIC接口通信協(xié)議3.硬件寫(xiě)保護(hù)4.內(nèi)部上電復(fù)位5.最高1M工作頻率6.超低功耗設(shè)計(jì),靜態(tài)功耗小于1μA[詳細(xì)]
BL24C08AIIC,I2C,EEPROM,存儲(chǔ)器,24,8k,08產(chǎn)品簡(jiǎn)介BL24C08A提供8192比特串行電可擦寫(xiě)存儲(chǔ)器,組成1024個(gè)字節(jié),每頁(yè)16個(gè)字節(jié),共64頁(yè)。優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)1.工作電壓:1.7~5.5V2.標(biāo)準(zhǔn)IIC接口通信協(xié)議3.硬件寫(xiě)保護(hù)4.內(nèi)部上電復(fù)位5.最高1M工作頻率6.超低功耗設(shè)計(jì),靜態(tài)功耗小于1μA[詳細(xì)]
BL24C04FIIC,I2C,EEPROM,存儲(chǔ)器,24,2K,04產(chǎn)品簡(jiǎn)介BL24C04A提供4096比特串行電可擦寫(xiě)存儲(chǔ)器,組成512個(gè)字節(jié),每頁(yè)16個(gè)字節(jié),共32頁(yè)。優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)1.工作電壓:1.7~5.5V2.標(biāo)準(zhǔn)IIC接口通信協(xié)議3.硬件寫(xiě)保護(hù)4.內(nèi)部上電復(fù)位5.最高1M工作頻率6.超低功耗設(shè)計(jì),靜態(tài)功耗小于1μA[詳細(xì)]
BL24C04AIIC,I2C,EEPROM,存儲(chǔ)器,24,4k,04產(chǎn)品簡(jiǎn)介BL24C04A提供4096比特串行電可擦寫(xiě)存儲(chǔ)器,組成512個(gè)字節(jié),每頁(yè)16個(gè)字節(jié),共32頁(yè)。優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)1.工作電壓:1.7~5.5V2.標(biāo)準(zhǔn)IIC接口通信協(xié)議3.硬件寫(xiě)保護(hù)4.內(nèi)部上電復(fù)位5.最高1M工作頻率6.超低功耗設(shè)計(jì),靜態(tài)功耗小于1μA[詳細(xì)]
BL24C02FIIC,I2C,EEPROM,存儲(chǔ)器,24,2K,02產(chǎn)品簡(jiǎn)介BL24C02F提供2048比特串行電可擦寫(xiě)存儲(chǔ)器,組成256個(gè)字節(jié),每頁(yè)16個(gè)字節(jié),共16頁(yè)。優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)1.工作電壓:1.7~5.5V2.標(biāo)準(zhǔn)IIC接口通信協(xié)議3.硬件寫(xiě)保護(hù)4.內(nèi)部上電復(fù)位5.最高1M工作頻率6.超低功耗設(shè)計(jì),靜態(tài)功耗小于1μA[詳細(xì)]
BL24C02AIIC,I2C,EEPROM,存儲(chǔ)器,24,2k,02產(chǎn)品簡(jiǎn)介BL24C02A提供2048比特串行電可擦寫(xiě)存儲(chǔ)器,組成256個(gè)字節(jié),每頁(yè)16個(gè)字節(jié),共16頁(yè)。優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)1.工作電壓:1.7~5.5V2.標(biāo)準(zhǔn)IIC接口通信協(xié)議3.硬件寫(xiě)保護(hù)4.內(nèi)部上電復(fù)位5.最高1M工作頻率6.超低功耗設(shè)計(jì),靜態(tài)功耗小于1μA[詳細(xì)]
E3000 Pro系列U.2 SSD數(shù)據(jù)中心級(jí)別的服務(wù)器U.2 PCIe SSD加載數(shù)據(jù)中心級(jí)別的控制器,性能出色,針對(duì)密集型數(shù)據(jù)讀寫(xiě)的設(shè)計(jì),支持2TB~8TB容量段,最高可支持傳輸性能為R=3500MB/s, W=3000MB/s。在同規(guī)格中,實(shí)現(xiàn)超低功耗,為數(shù)據(jù)中心提供解決方案。[詳細(xì)]
E3000 Pro系列 M.2 PCIE 2280 SSDPCIe Gen3×4,超高速企業(yè)級(jí)M.2 PCIe SSD遵循PCle Gen3x4標(biāo)準(zhǔn),支持256GB~2TB容量段,內(nèi)建高性能的外置DDR4緩存芯片,最高可支持傳輸性能為R=3500MB/s, W=3000MB/s。更高速度,更大容量,更長(zhǎng)壽命,保障了數(shù)據(jù)安全性和可靠性。[詳細(xì)]
E2000 pro性能級(jí)的企業(yè)M.2 PCIe SSD遵循PCle Gen3x4標(biāo)準(zhǔn),支持128GB~1TB容量段,內(nèi)建高性能的外置DDR3緩存芯片,最高可支持傳輸性能為R=2000MB/s, W=1900MB/s。更高速度,更大容量,更長(zhǎng)壽命,包裝數(shù)據(jù)安全性和可靠性。[詳細(xì)]
S3000 Pro系列SSDPCIe Gen3×4,超高速行業(yè)級(jí)M.2 PCIe SSD8通道NAND flash 并行讀取, 遵循NVMe協(xié)議標(biāo)準(zhǔn),輕松滿(mǎn)足主流PC的存儲(chǔ)器解決方案需求。支持256GB~2TB容量段,最高可支持傳輸性能為R=3500MB/s, W=3000MB/s。提供多少種封裝規(guī)格組合,功耗低,性能提升,保障數(shù)據(jù)的可靠性,適合高要求的行業(yè)級(jí)客戶(hù)。[詳細(xì)]
S2000 pro高性?xún)r(jià)比的行業(yè)M.2 PCIe SSD采用PCIe Gen3×4 M Key端口,提供可實(shí)現(xiàn)更高性能的存儲(chǔ)空間,可支持128GB~1TB容量段,加入了DRAM做為數(shù)據(jù)緩存,最高可支持傳輸性能為R=2000MB/s, W=1600MB/s。I/O延遲更低,低耗能,支持電源管理等客戶(hù)端功能,是主流PC的理想選擇。[詳細(xì)]
新一代接口的筆記本M.2 PCIe SSD遵循新一代NVMe協(xié)議標(biāo)準(zhǔn),兩款端口可選,接入通道更多,支持128GB~1TB容量段,最高可支持傳輸性能為R=2000MB/s, W=1600MB/s。具有多種尺寸選擇,為追求高性能大容量存儲(chǔ)需求的超薄電子產(chǎn)品首選。[詳細(xì)]
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