美國(guó)最新一輪半導(dǎo)體出口管制要點(diǎn)和細(xì)節(jié)
導(dǎo)語：最新情況顯示，美國(guó)SWB工業(yè)和安全局（BIS）在其官網(wǎng)公布了一系列更全面的出口管制新規(guī)，欲限制中國(guó)獲得先進(jìn)計(jì)算芯片、開發(fā)和維護(hù)超級(jí)計(jì)算機(jī)以及制造先進(jìn)半導(dǎo)體的能力。
今天，據(jù)此前財(cái)聯(lián)社消息，美國(guó)SWB工業(yè)和安全局（BIS）以所謂的維護(hù)GJ安全為由，把針對(duì)中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)的無理打壓再度升級(jí)，具體涉及9條新規(guī)定，包括將某些先進(jìn)、高性能的計(jì)算機(jī)芯片和含有此類芯片的計(jì)算機(jī)商品添加到商業(yè)管制清單、對(duì)最終用途在中國(guó)的超級(jí)計(jì)算機(jī)或半導(dǎo)體開發(fā)及生產(chǎn)應(yīng)用項(xiàng)目增加新的許可證要求、將某些半導(dǎo)體制造設(shè)備和相關(guān)項(xiàng)目添加到商業(yè)管制清單、對(duì)在中國(guó)的16納米以下非平面晶體管結(jié)構(gòu)邏輯芯片或128層以上NAND閃存芯片等先進(jìn)芯片生產(chǎn)設(shè)施增加新的許可證要求等。
來源：網(wǎng)絡(luò)
事實(shí)上，在此之前，美國(guó)ZF曾多次出臺(tái)芯片領(lǐng)域相關(guān)禁令與法案，包括《芯片與科學(xué)法案》以及限制相關(guān)公司向中國(guó)出口高性能GPU等。不過，此次出口管制限制范圍更為廣泛，影響或許也將更大。
公開資料顯示，相關(guān)規(guī)則如下：
1.將某些先進(jìn)和高性能計(jì)算芯片及含有此類芯片的計(jì)算機(jī)商品加入《商業(yè)管制清單》（CCL）；
2.對(duì)中國(guó)超級(jí)計(jì)算機(jī)或半導(dǎo)體開發(fā)或生產(chǎn)最終用途的項(xiàng)目增加新的許可證要求；
3.將《出口管理?xiàng)l例》(EAR)的適用范圍擴(kuò)大到某些外國(guó)生產(chǎn)的先進(jìn)計(jì)算機(jī)產(chǎn)品和外國(guó)生產(chǎn)的超級(jí)計(jì)算機(jī)終端用途產(chǎn)品；
4.將需要許可證的美國(guó)以外國(guó)家的生產(chǎn)項(xiàng)目的范圍，擴(kuò)大到位于中國(guó)境內(nèi)的28家現(xiàn)有實(shí)體；
5.將某些半導(dǎo)體制造設(shè)備和相關(guān)項(xiàng)目添加到CCL；
6.對(duì)在中國(guó)制造的符合規(guī)定的半導(dǎo)體制造工廠的設(shè)備增加新的許可證要求。中國(guó)公司擁有的設(shè)施許可證將面臨“推定拒絕”，公司擁有的設(shè)施將根據(jù)具體情況做出決定，具體涉及范疇：具有16nm或14nm以下制程的非平面晶體管結(jié)構(gòu)（FinFET或GAAFET）的邏輯芯片；半間距不超過18nm的DRAM存儲(chǔ)芯片；128層或更多層的NAND閃存芯片；
7.限制美國(guó)實(shí)體在沒有許可證的情況下，支持中國(guó)境內(nèi)某些半導(dǎo)體工廠制造、開發(fā)或進(jìn)行生產(chǎn)；
8.對(duì)開發(fā)或生產(chǎn)半導(dǎo)體制造設(shè)備及相關(guān)項(xiàng)目的出口項(xiàng)目增加新的許可證要求；
9.建立臨時(shí)通用許可證(TGL)，通過允許特定的、有限的生產(chǎn)活動(dòng)，將對(duì)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的短期影響降至最低。
據(jù)悉，上述半導(dǎo)體制造項(xiàng)目限制自10月7日起生效，美國(guó)人在支持基于中國(guó)本土半導(dǎo)體制造“設(shè)施”開發(fā)、生產(chǎn)或應(yīng)用集成電路的能力方面的限制將在10月12日生效，先進(jìn)計(jì)算和超級(jí)計(jì)算機(jī)控制以及規(guī)則中的其他更新將在10月21日生效。
更新的出口管制將從多個(gè)方面針對(duì)中國(guó)企業(yè)，包括限制美國(guó)企業(yè)向中國(guó)出口關(guān)鍵芯片制造工具，以及限制美國(guó)公民和企業(yè)向中國(guó)的半導(dǎo)體制造廠提供任何形式的直接或間接支持。
編輯：ZQY 最后修改時(shí)間：2022-10-09
