W25Q80和GD25Q80區(qū)別
二者同為SPI-Flash，前者為華邦公司產(chǎn)品，后者是GD公司產(chǎn)品。
W25Q80：
- 8M-bit 1024KB
- 80MHz clock operation
- 共有16個Block，每個Block有16個扇區(qū)，每個扇區(qū)4KB，每一頁256個字節(jié)
- 每個設(shè)備有64位唯一ID
GD25Q80：
- 8M-bit 1024KB
- 120MHz 快速閱讀
- 共有16個Block，每個Block有16個扇區(qū)，每個扇區(qū)4KB，每一頁256個字節(jié)
- 每個設(shè)備有128位唯一ID
引腳：（二者引腳完全兼容）
寄存器：
W25Q80 狀態(tài)寄存器（S15~S0）
BUSY：FLASH正在擦除或者正在寫入
TB：Top/Bottom寫保護(hù)位，與BP[2:0]構(gòu)成更多組合
SEC：扇區(qū)保護(hù)位，與BP[2:0]構(gòu)成更多組合
SRP0：狀態(tài)寄存器保護(hù)位
這5位決定寫保護(hù)的范圍
GD25Q80 狀態(tài)寄存器（S15~S0）
SUS：只讀位，該位在擦除、編程、暫停指令后置1 個人感覺這位沒什么用
CMP：與BP[4:0]構(gòu)成更多的組合 默認(rèn)置0，與W25q80保持兼容
HPM：該位置1表示FLASH當(dāng)前是高性能模式 一般不用
LB：OTP位，寫1，安全寄存器變?yōu)橛谰弥蛔x 一般不用
這6位決定寫保護(hù)范圍，其實除了S14，剩下的和W25Q80寄存器是一樣的，都是S2~S6共5位
那么S14是什么東西呢？上文講了，S14即CMP，CMP=0或1 時 只是保護(hù)的范圍不同罷了
比如當(dāng)CMP=0，S6~S2= 00010 時 寫保護(hù)區(qū)域為 0E0000H-0FFFFFH 128KB（與W25Q80一樣）
當(dāng)CMP=1時，S6~S2=00010時 寫保護(hù)區(qū)域為 000000H-0DFFFFH 896KB
默認(rèn)CMP=0，即與W25Q80保持兼容。
指令表：
以下指令二者是一樣的，實際上GD32Q80多了很多指令，比如和安全寄存器相關(guān)的編程，擦除，讀取三條指令，但是通常我們也只會用到以下指令。
1.#define W25X_WriteEnable0x062.#define W25X_WriteDisable0x04
3.#define W25X_ReadStatusReg0x05
4.#define W25X_WriteStatusReg0x01
5.#define W25X_ReadData0x03
6.#define W25X_FastReadData0x0B
7.#define W25X_FastReadDual0x3B
8.#define W25X_PageProgram0x02
9.#define W25X_BlockErase0xD8
10.#define W25X_SectorErase0x20
11.#define W25X_ChipErase0xC7
12.#define W25X_PowerDown0xB9
13.#define W25X_ReleasePowerDown0xAB
14.#define W25X_DeviceID0xAB
15.#define W25X_ManufactDeviceID0x90
16.#define W25X_JedecDeviceID0x9F
值得注意的是，二者廠商的ID和設(shè)備ID是不同的，原子例程有個死循環(huán)驗證廠商和設(shè)備ID，如果用的是GD25系列的Flash需要改下相關(guān)宏定義。
華邦的廠商和設(shè)備ID（不是芯片唯一ID）一般是 0xEFXX,GD是0xC8XX（XX由不同容量決定）。
綜上所述，二者可以互相替換。
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編輯：Simon 最后修改時間：2019-05-22
