SDRAM內(nèi)存的演變
SDRAM從發(fā)展到現(xiàn)在已經(jīng)經(jīng)歷了五代，分別是:第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM，第五代，DDR4 SDRAM。
第一代SDRAM采用單端(Single-Ended)時(shí)鐘信號(hào),第二代、第三代與第四代由于工作頻率比較快，所以采用可降低干擾的差分時(shí)鐘信號(hào)作為同步時(shí)鐘。
SDR SDRAM的時(shí)鐘頻率就是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的頻率，第一代內(nèi)存用時(shí)鐘頻率命名，如pc100，pc133則表明時(shí)鐘信號(hào)為100或133MHz，數(shù)據(jù)讀寫速率也為100或133MHz。
之后的第二，三，四代DDR(Double Data Rate)內(nèi)存則采用數(shù)據(jù)讀寫速率作為命名標(biāo)準(zhǔn)，并且在前面加上表示其DDR代數(shù)的符號(hào)，PC-即DDR，PC2=DDR2，PC3=DDR3。如PC2700是DDR333，其工作頻率是333/2=166MHz，2700表示帶寬為2.7G。
DDR的讀寫頻率從DDR200到DDR400，DDR2從DDR2-400到DDR2-800，DDR3從DDR3-800到DDR3-1600。
很多人將SDRAM錯(cuò)誤的理解為第一代也就是 SDR SDRAM，并且作為名詞解釋，皆屬誤導(dǎo)。
SDR不等于SDRAM。
Pin:模組或芯片與外部電路連接用的金屬引腳，而模組的pin就是常說的"金手指"。
SIMM:Single In-line Memory Module,單列內(nèi)存模組。內(nèi)存模組就是我們常說的內(nèi)存條，所謂單列是指模組電路板與主板插槽的接口只有一列引腳(雖然兩側(cè)都有金手指)。
DIMM:Double In-line Memory Module，雙列內(nèi)存模組。是我們常見的模組類型，所謂雙列是指模組電路板與主板插槽的接口有兩列引腳，模組電路板兩側(cè)的金手指對(duì)應(yīng)一列引腳。
RIMM:registered DIMM，帶寄存器的雙線內(nèi)存模塊，這種內(nèi)存槽只能插DDR或Rambus內(nèi)存。
SO-DIMM:筆記本常用的內(nèi)存模組。
工作電壓:
SDR:3.3V
DDR:2.5V
DDR2:1.8V
DDR3:1.5V
DDR4:1.2V
SDRSDRAM內(nèi)存條的金手指通常是168線，而DDR SDRAM內(nèi)存條的金手指通常是184線的。
幾代產(chǎn)品金手指的缺口數(shù)及缺口位置也不同有效防止反插與錯(cuò)插，SDR SDRAM有兩個(gè)缺口，DDR只有一個(gè)缺口。
編輯：simon 最后修改時(shí)間：2019-07-16
