趕超三星！東芝64層3D Flash試產(chǎn)送樣
韓國(guó)三星電子為全球第一家量產(chǎn)3D架構(gòu)NAND型快閃記憶體(FlashMemory)的廠商，不過(guò)其N(xiāo)AND Flash最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手東芝(Toshiba)追趕速度驚人，宣布已領(lǐng)先全球同業(yè)、研發(fā)出堆疊64層的3D Flash產(chǎn)品，且開(kāi)始進(jìn)行送樣。
東芝27日發(fā)布新聞稿宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D Flash制程技術(shù)，并自今日起領(lǐng)先全球同業(yè)開(kāi)始進(jìn)行樣品出貨，且預(yù)計(jì)將透過(guò)甫于7月完工的四日市工廠“新第2廠房”進(jìn)行生產(chǎn)。
東芝指出，采用上述制程技術(shù)的256Gb(32GB)產(chǎn)品預(yù)計(jì)將在2017年前半開(kāi)始進(jìn)行量產(chǎn)，主要用來(lái)?yè)尮?shù)據(jù)中心/PC用SSD、以及智能手機(jī)/平板電腦/記憶卡等市場(chǎng)，且今后也計(jì)劃推出512Gb(64GB)產(chǎn)品。
東芝表示，和48層產(chǎn)品相比，此次新研發(fā)的64層產(chǎn)品每單位面積的記憶容量擴(kuò)大至1.4倍，且每片晶圓所能生產(chǎn)的記憶容量增加、每bit成本也下滑。
日本科技網(wǎng)站PC Watch報(bào)道，美國(guó)西數(shù)(WesternDigital)于當(dāng)?shù)貢r(shí)間26日宣布，已研發(fā)出全球首見(jiàn)的64層3D Flash技術(shù)，且已透過(guò)和東芝共同營(yíng)運(yùn)的四日市工廠開(kāi)始進(jìn)行試產(chǎn)，之后預(yù)計(jì)于2017年上半年內(nèi)整備出可進(jìn)行正式量產(chǎn)的體制。
中國(guó)臺(tái)灣媒體7月20日?qǐng)?bào)道，64層3D NANDFlash極為重要，業(yè)界認(rèn)為64層3D NAND Flash的出現(xiàn)，代表平面NAND Flash時(shí)代畫(huà)上句點(diǎn)。
西數(shù)26日飆漲3.21%，收53.74美元、創(chuàng)1月8日以來(lái)收盤(pán)新高水準(zhǔn)。
ThomsonReuters、時(shí)事通信社報(bào)道，東芝(Toshiba)統(tǒng)籌記憶體事業(yè)的副社長(zhǎng)成毛康雄7月6日在投資人說(shuō)明會(huì)上表示，將強(qiáng)化3D Flash生產(chǎn)，目標(biāo)在2017年度將3D產(chǎn)品占整體生產(chǎn)比重提高至5成、2018年度進(jìn)一步提高至9成左右水準(zhǔn)。
日經(jīng)、韓國(guó)先驅(qū)報(bào)(KoreaHerald)7月6日?qǐng)?bào)道，未具名消息指稱(chēng)，東芝打算與西數(shù)在未來(lái)三年攜手，對(duì)3-D NAND Flash投資1.5萬(wàn)億日元(相當(dāng)于146億美元)。根據(jù)雙方協(xié)議，東芝、西數(shù)會(huì)在日本三重縣四日市的現(xiàn)有合資廠房新增芯片制造設(shè)備，大多數(shù)的資金會(huì)用來(lái)安裝3-D NAND的制造裝置。
韓聯(lián)社7月12日?qǐng)?bào)道，韓國(guó)三星電子2016年Q1(2016年1-3月)NAND型快閃記憶體(FlashMemoy)全球銷(xiāo)售額創(chuàng)下歷史新高，Q1三星NAND Flash銷(xiāo)售額較去年同期成長(zhǎng)3.1%至26.15億美元，增幅是整體市場(chǎng)(成長(zhǎng)1.6%)的近2倍水準(zhǔn)，市占率也從前一季的42.0%上揚(yáng)至42.6%。
排名第二位東芝(Toshiba)市占率雖從24.0%大幅揚(yáng)升至28.0%，不過(guò)與三星之間仍有高達(dá)14.6個(gè)百分點(diǎn)的差距;第三位為美國(guó)美光(Mircon)的18.8%、韓國(guó)SK海力士則以10.6%的市占率位居第4位。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2018-01-05
