內(nèi)存需求回春，SK 海力士?jī)衾源鬁p 74%
中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)南亞科、華邦電等內(nèi)存廠將在本周召開法說，而韓國(guó)內(nèi)存大廠SK海力士今26日先行登場(chǎng)，或能做為內(nèi)存產(chǎn)業(yè)重要風(fēng)向球。從SK海力士情況來看，DRAM與NAND Flash需求都有回升之勢(shì)，但平均銷售價(jià)格似乎還未能見起色。
SK海力士今26日公布財(cái)年第二季財(cái)報(bào)，SK海力士第二季營(yíng)收3.94兆韓元，在需求回穩(wěn)產(chǎn)品出貨優(yōu)于預(yù)期下季增8%，對(duì)比去年同期營(yíng)收則衰退15%，但平均銷售價(jià)格有所下滑，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)4,530億，季減19%、年減67%比砍半還慘，受到匯損等影響，凈利2,860億，季減36%、年減高達(dá)74%。
（Source：SK Hynix）
內(nèi)存需求回春，但在平均單價(jià)降低與匯兌損失下，未能反映在獲利表現(xiàn)。SK海力士指出，DRAM與NAND Flash位出貨量都有所成長(zhǎng)。受到智能手機(jī)需求強(qiáng)勁以及電腦內(nèi)存復(fù)蘇之下，DRAM位成長(zhǎng)18%，但平均銷售單價(jià)（ASP）卻也減了11%。NAND Flash在智能手機(jī)嵌入式內(nèi)存、SSD等需求持續(xù)成長(zhǎng)下，位成長(zhǎng)率大增52%，平均銷售單價(jià)因產(chǎn)品價(jià)格下降與TLC產(chǎn)品單價(jià)較低，同樣減少11%。
NAND Flash與DRAM占營(yíng)收比重也出現(xiàn)明顯消長(zhǎng)，DRAM在第一季占SK海力士營(yíng)收76%，到了第二季減少5%至71%，而NAND Flash占營(yíng)收比重則成長(zhǎng)了5%至26%。
（Source：SK Hynix）
SK海力士強(qiáng)調(diào)將擴(kuò)大在2Z納米DRAM產(chǎn)品線以反應(yīng)后續(xù)的需求，2Z納米不只運(yùn)用于公司PC DRAM出貨，也適用于移動(dòng)DRAM，官方預(yù)計(jì)將增加DDR4與LPDDR4的出貨，估計(jì)在2016年末出貨占比將來到總DRAM出貨量的40%，而平面NAND Flash將推進(jìn)到1Y納米制程，業(yè)界正在競(jìng)逐的3DNAND Flash競(jìng)賽，SK海力士36層堆疊產(chǎn)品已經(jīng)開始出貨，48層堆疊的3D NAND Flash也將于今年下半問世。
展望第三季，官方預(yù)估，在幾家智能手機(jī)主要客戶推出新機(jī)下，需求將大幅成長(zhǎng)，第三季有望有較佳的表現(xiàn)，第三季DRAM出貨量估計(jì)能有高個(gè)位數(shù)成長(zhǎng)，NANDFlash更能略高于10%，
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2018-01-22
