80C51單片機(jī)復(fù)位及復(fù)位電路
復(fù)位是使CPU和系統(tǒng)中其他部件都處于一個(gè)確定的初始狀態(tài)，并從這個(gè)狀態(tài)開始工作。1、復(fù)位結(jié)構(gòu)
/1 80C51復(fù)位結(jié)構(gòu)
80C51復(fù)位結(jié)構(gòu)如圖1所示，此處的復(fù)位引腳只是單純地稱為RST而不是RST/VPD，因?yàn)镃HMOS型單片機(jī)的備用電源也是由VCC引腳提供的。
無論是HMOS型還是CHMOS型的單片機(jī)，在振蕩器正在運(yùn)行的情況下，復(fù)位是靠在RST/VPD引腳加持續(xù)2個(gè)機(jī)器周期（即24個(gè)振蕩周期）的高電平來實(shí)現(xiàn)的。在RST引腳出現(xiàn)高電平后的第二個(gè)周期執(zhí)行內(nèi)部復(fù)位，以后每個(gè)周期重復(fù)一次，直至RST端變低電平。 2 復(fù)位電路及復(fù)位操作單片機(jī)的復(fù)位有上電復(fù)位和按鈕手動(dòng)復(fù)位兩種。如圖2（a）所示為上電復(fù)位電路，圖（b）所示為上電按鍵復(fù)位電路。
圖2 80C51復(fù)位電路
上電復(fù)位是利用電容充電來實(shí)現(xiàn)的，即上電瞬間RST端的電位與VCC相同，隨著充電電流的減少，RST的電位逐漸下降。圖2 (a)中的R是施密特觸發(fā)器輸入端的一
個(gè)10KΩ下拉電阻，時(shí)間常數(shù)為10×10-6×10×103=100ms。只要VCC的上升時(shí)間不超過1ms，振蕩器建立時(shí)間不超過10ms，這個(gè)時(shí)間常數(shù)足以保證完成復(fù)位操作。上電復(fù)位所需
的最短時(shí)間是振蕩周期建立時(shí)間加上2個(gè)機(jī)器周期時(shí)間，在這個(gè)時(shí)間內(nèi)RST的電平應(yīng)維持高于施密特觸發(fā)器的下閾值。
上電按鍵復(fù)位2（b）所示。當(dāng)按下復(fù)位按鍵時(shí)，RST端產(chǎn)生高電平，使單片機(jī)復(fù)位。 復(fù)位后，其片內(nèi)各寄存器狀態(tài)見表，片內(nèi)RAM內(nèi)容不變。
表 復(fù)位后內(nèi)部寄存器狀態(tài)
寄存器<?XML:NAMESPACE PREFIX = O /> | 內(nèi)容 | 寄存器 | 內(nèi)容 |
PC | 0000H | TCON | 00H |
ACC | OOH | TL0 | 00H |
PSW | 00H | TH0 | 00H |
SP | 07H | TL1 | 00H |
DPTR | 0000H | TH1 | 00H |
P0~P3 | 0FFH | SCON | 00H |
IP | ××000000B | SBUF | 不定 |
IE | 0×000000B | PCON | 0×××0000B |
TMOD | 00H | | |
由于單片機(jī)內(nèi)部的各個(gè)功能部件均受特殊功能寄存器控制，程序運(yùn)行直接受程序計(jì)數(shù)器PC指揮。表中各寄存器復(fù)位時(shí)的狀態(tài)決定了單片機(jī)內(nèi)有關(guān)功能部件的初始狀態(tài)。
另外，在復(fù)位有效期間（即高電平），80C51單片機(jī)的ALE引腳和
引腳均為高電平，且內(nèi)部RAM不受復(fù)位的影響。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2018-06-27
