南京寬能半導(dǎo)體獲2億元天使輪融資和利資本領(lǐng)投
6月8日消息，由主要半導(dǎo)體廠商構(gòu)成的世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計協(xié)會（WSTS）6月7日發(fā)布數(shù)據(jù)稱，預(yù)計2023年半導(dǎo)體市場將比2022年增長5％，達(dá)到6796億美元。雖然增長率放緩，但連續(xù)4年超過上年。
2022年的全球半導(dǎo)體市場預(yù)期為6464億美元，比上次預(yù)測上調(diào)450億美元。2021年的確定值為5558億美元，比2020年增長26％。
WSTS預(yù)計，2022年支撐此前快速增長的運算用邏輯芯片和存儲器都將減速。2021年兩者均比上年增長31％，而到2023年邏輯芯片將同比增長7％，存儲器將同比增長3％。
投資界6月8日消息，近日，第三代半導(dǎo)體企業(yè)南京寬能半導(dǎo)體有限公司（簡稱“寬能半導(dǎo)體”或“公司”）宣布完成超2億元天使輪融資。本輪融資由和利資本領(lǐng)投，渶策資本、云啟資本、國中創(chuàng)投資本、毅達(dá)資本、金浦投資、亞昌投資、君盛投資、富華投資共同參與投資。
根據(jù) Yole 預(yù)測，到 2025 年新能源汽車將是碳化硅功率器件最主要的應(yīng)用。隨著新能源汽車銷量的快速提升，碳化硅功率器件在電機(jī)驅(qū)動、OBC、DC/DC等部件中的應(yīng)用還將為其打開更加廣闊的市場。全球電動汽車領(lǐng)導(dǎo)者特斯拉已在Model3上使用碳化硅MOSFET作為其馬達(dá)逆變器解決方案，以取代傳統(tǒng)硅基IGBT。預(yù)計未來新能源汽車上碳化硅MOSFET的需求量將遠(yuǎn)超于碳化硅二極管，無法生產(chǎn)高良率碳化硅MOSFET的器件廠將失去市場。而器件制造作為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的重要環(huán)節(jié)，對產(chǎn)品的良率和性能起到?jīng)Q定性作用。
寬能半導(dǎo)體成立于2021 年 11 月，公司核心團(tuán)隊包括多名國際一流的碳化硅半導(dǎo)體工藝和制造專家，掌握碳化硅器件全工藝流程核心技術(shù)，并具備20年以上相關(guān)產(chǎn)品量產(chǎn)經(jīng)驗。公司首條產(chǎn)線落地南京，正在建設(shè)中，建成后將是國內(nèi)最大的碳化硅半導(dǎo)體晶圓廠。
寬能半導(dǎo)體深耕功率半導(dǎo)體器件代工領(lǐng)域，為國內(nèi)外半導(dǎo)體設(shè)計公司和IDM廠商提供高良率、高品質(zhì)且具競爭力的產(chǎn)品。公司的自有標(biāo)準(zhǔn)工藝平臺可協(xié)助客戶迅速導(dǎo)入量產(chǎn)，促進(jìn)工藝技術(shù)迭代。同時公司支持新產(chǎn)品開發(fā)，提供客制化工藝服務(wù)。公司同時具備溝槽型MOSFET工藝。由于目前全球可量產(chǎn)的碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)高度稀缺，僅有ROHM的雙溝槽結(jié)構(gòu)、英飛凌的半包溝槽結(jié)構(gòu)、日本住友的接地雙掩埋結(jié)構(gòu)，器件結(jié)構(gòu)的技術(shù)壁壘將為公司產(chǎn)品帶來成本和性能上的優(yōu)勢。
編輯：ZQY 最后修改時間：2022-06-08
