了解電容器的失效機理_電容器的失效機理
了解電容器的失效機理可以說是必須要學(xué)習(xí)的一課，在遇到電容器失效的時候，我們也可以快速尋找問題的根源并且解決。有哪些電容器的失效機理是需要我們?nèi)W(xué)習(xí)的呢，直接進入本章節(jié)的主題。
電容器的失效是指電容器出現(xiàn)的故障。各種電子系統(tǒng)或者電子電路的重要組成部分一般是不同類型的元器件，當(dāng)它需要的元器件較多時，則標(biāo)志其設(shè)備的復(fù)雜程度就較高；反之，則低。一般還會把電路故障定義為：電路系統(tǒng)規(guī)定功能的喪失。根據(jù)不同的標(biāo)準(zhǔn)，對失效的分類一般主要有以下幾種歸類法。
以失效原因為標(biāo)準(zhǔn)：主要分為本質(zhì)失效、誤用失效、偶然失效、自然失效等。
以失效程度為標(biāo)準(zhǔn)：主要分為部分失效、完全失效。
以失效模式為標(biāo)準(zhǔn)：主要分為無功能、短路、開路等。
以失效后果的嚴重程度為標(biāo)準(zhǔn)：主要分為輕度失效、嚴重失效以及致命失效。
電容器的失效機理
電子元器件失效的機理也有不同分類，通常以其導(dǎo)致原因作為分類依據(jù)，主要可分為下面幾種失效機理。
1. 表層劣化：元器件鈉離子遭污染然后造成溝道出現(xiàn)漏電、γ輻射有損、表面蠕變或擊穿等；
2.設(shè)計問題造成的劣化：指單子元器件的電路、版圖以及結(jié)構(gòu)等方面出現(xiàn)的設(shè)計問題；
3.內(nèi)部劣化：是指由CMOS 閉鎖效應(yīng)、二次擊穿、重金屬玷污、中子輻射損傷以及材料問題所引發(fā)的瞬間功率過載、結(jié)構(gòu)性能退化等；
4.使用不當(dāng)引起的損壞：指電浪涌損傷、靜電損傷、過高溫度造成的破壞、干擾信號導(dǎo)致的故障等；
5.金屬化系統(tǒng)劣化：是指電子元器件內(nèi)的鋁電遷移、鋁腐蝕、鋁缺口等；
6.封裝劣化：是指管腿出現(xiàn)腐蝕、漏氣或殼內(nèi)有外來物導(dǎo)致短路或漏電等;
關(guān)于電容器的失效有多種分類標(biāo)準(zhǔn)，如失效場合，失效外部表現(xiàn)為標(biāo)準(zhǔn)等等，小編沒有詳細的闡述，常見的電容器失效分類可看小編總結(jié)的。想要提高電容器的可靠性，那么關(guān)于電容器的失效機理各位新手和工程們還是要多了解。更多關(guān)于電容器的資訊盡在穎特新電子，東莞市穎特新電子專業(yè)制造安規(guī)電容，陶瓷電容，壓敏電阻。以上資訊來自東莞市穎特新電子有限公司研發(fā)部提供，更多資訊請大家移步至網(wǎng)站中穎特新資訊中獲取。
編輯：admin 最后修改時間：2018-02-26
