薄膜電容器損耗頻率特性
薄膜電容器逐批檢驗(yàn)的主要技術(shù)指標(biāo)有：電容量、損耗（損耗角正切值）、絕緣電阻、耐電壓、可焊性、外觀等，在這些指標(biāo)中電容器的損耗是一個(gè)重要的指標(biāo)，它直接影響薄膜
電容器的產(chǎn)品質(zhì)量、合格率，影響企業(yè)的經(jīng)濟(jì)效益。薄膜電容器的損耗不是一個(gè)固定的數(shù)值，它隨測試頻率不同而不同，本文就薄膜電容器的損耗與測試頻率的關(guān)系做一探討。
薄膜電容器損耗頻率特性
按照國家標(biāo)準(zhǔn)，測試薄膜電容器損耗tgδ時(shí)儀表的測試電壓檔設(shè)為0.1V或0.3V,測試頻率為1KHZ，聚酯薄膜電容器的損耗要求≤0.0080(最大為0.0100),聚丙烯薄膜電容器的損耗tgδ要求≤0.0010。這些電容器往往用于直流、使用電壓較低、使用頻率較小的場合。但是，有些電子儀器設(shè)備使用場合如彩電行逆程電路、開關(guān)電源電路等，它們的使用頻率較高在幾十KHZ左右，而且有的電路有交流成分，因此要求電容器高頻性能要好，即電容器在高頻條件下的損耗要小。如果高頻損耗大，電容器在使用過程中，電容器自身就要消耗能量，引起電容器芯子發(fā)熱，最終導(dǎo)致電容器芯子薄膜收縮，電容器失效。
薄膜電容器的高頻損耗隨測試頻率的增加而增加，兩者之間不是線性關(guān)系；聚丙烯薄膜電容器的高頻損耗要比聚酯電容器的高頻損耗小。由于聚丙烯薄膜電容器的高頻損耗小，因此聚丙烯薄膜電容器適用于高頻電路場合。
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編輯：admin 最后修改時(shí)間：2018-02-26
