Y電容的跨接方式,Y電容跨接方式對(duì)的電路的影響,Y電容的接地點(diǎn)選擇
Y電容的4種跨接方式及接地點(diǎn)的選擇
Y電容的跨接方式是我們?cè)陔娐吩O(shè)計(jì)中經(jīng)常會(huì)用到的，本文中總結(jié)說明了4種常用的連接方式，并且說明了這些跨接方式對(duì)電路的影響。
連接方式一般有4種,上面畫了個(gè)反激拓?fù)?/span>,其他拓?fù)湟彩强梢缘?/span>.
第一種方法是連接到初級(jí)高壓和次級(jí)輸出正;
第二種方法是連接到初級(jí)高壓和次級(jí)地線;
第三種方法是連接到初級(jí)地和次級(jí)正;
第四種方法是連接到初級(jí)地和次級(jí)地.
注:次級(jí)正是指輸出的正端,如果是正激類拓?fù)涫侵咐m(xù)流電感的后面.這是一般小功率電源的連接方法.大功率的電源由于有地線,沒有漏電流的限制.
初級(jí)接地點(diǎn)的選擇
下面我們來看一下針對(duì)初級(jí)接地點(diǎn)的選擇。從上圖中我們了解到在可能的情況下盡量選擇2的接地點(diǎn)，從上面L9，L1，L11分布電感可以看出，如果選擇接地點(diǎn)1在高頻的情況下Y電容回路的阻抗回變的很大，降低了Y電路的高頻效果，在幾到10幾瓦小功率電源時(shí)接1或2區(qū)別并不大，甚至不明顯，在幾十瓦以上的功率大一些的電源時(shí)就比較明顯。
接1還有一個(gè)危害。當(dāng)測(cè)試ESD或Surge時(shí)，CY4會(huì)流過電流，同樣在L9，L10上就會(huì)產(chǎn)生電壓，輕則電器有可能誤動(dòng)作，重則有可能損壞IC。我們還要注意當(dāng)用控制器加外掛MOS管時(shí)，盡量不要把Y容器接到電流檢測(cè)電阻兩端，即MOS的下面和采樣電阻和控制器的連接端，原因就是上面說的。有時(shí)候受布板或工藝的限制，是沒有辦法直接接電容負(fù)端的，只能按1的方法接，這時(shí)注意地線的分布有盡量粗、寬、加錫涂厚，這樣可以大大的降低L9，L10，L11等，只要這些電感足夠小，一般是不會(huì)有問題的。地線很寬時(shí)中間也可以去掉一些銅箔，使其變成多條地線并聯(lián)，布成網(wǎng)狀，這樣可以使分布電感更小。
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編輯：admin 最后修改時(shí)間：2018-02-26
