高壓瓷片電容器的絕緣電阻

高壓瓷片電容器的絕緣電阻取決于介質(zhì)材料配方、工藝過程（燒結(jié)）和測量時(shí)的溫度。所有介質(zhì)的絕緣電阻都會(huì)隨溫度的提高而下降，在低溫（-55℃）到高溫（125℃）的MIL溫度特性范圍內(nèi)可以觀察到一個(gè)非常大的下降過程。

測量瓷片電容器絕緣電阻的時(shí)需要重點(diǎn)考慮絕緣電阻與電容量的關(guān)系。電容量值與絕緣電阻成反比，即電容量越高，絕緣電阻越低。這是因?yàn)殡娙萘颗c漏電流大小 是相互成正比的，可以用歐姆定律和比體積電容關(guān)系加以說明。歐姆定律表述了導(dǎo)體中電流（I），電壓（V）和電阻（R）之間的關(guān)系：

I = V/R

但是，電阻（R）是一個(gè)與尺寸有關(guān)的物理量，也與材料本征的電阻率有關(guān)，如下所示：

R = ρL/A

這里 L = 導(dǎo)體長度 A = 導(dǎo)體橫截面積。因此電流（I）可以表示為： I = VA/ρL

高壓瓷片電容器中通過絕緣體的漏電流（i）也可用上述關(guān)系式表示：I = VA’/ρt   ，這里 V = 測試電壓 A’ = 有效電極面積ρ= 介質(zhì)電阻率 t = 介質(zhì)層厚度

從上面關(guān)系式可以看到，對于給定的測試電壓，漏電流大小正比于電容器有效電極面積，反比于介質(zhì)層厚度（和電阻率），即：i ∝ A’/t

類似地，電容量（C）正比于有效電極面積，反比于介質(zhì)層厚度，即：C = KA’/4.452t （這里 K = 介電常數(shù) A’ = 有效電極面積 t = 介質(zhì)層厚度）

因此 C ∝ A’/t 以及 i ∝ C

漏電流（i）與絕緣電阻成反比，即：IR ∝ 1/C

基于上述關(guān)系，可以歸納出以下幾點(diǎn)：

1．絕緣電阻是測試電壓的函數(shù)，漏電流正比于外加電壓：i = VA’/ρt 或 IR =ρt/VA’

2. 對于任意給定的電容器，絕緣電阻很大程度上依賴于介質(zhì)材料本征的電阻率（ρ），也依賴于材料配方和測量時(shí)的溫度。

3. 電容器絕緣電阻（IR）的測量值與電容量成反比，也就是說，IR是電容量的函數(shù)，因此，工業(yè)應(yīng)用中產(chǎn)品IR的最小標(biāo)準(zhǔn)是由電阻（R）和容量（C）, （R×C），所決定的，如下表所示。EIA標(biāo)準(zhǔn)要求產(chǎn)品在25℃時(shí)R×C超過1000歐姆-法拉（通常表示成1000兆歐-微法），在125℃時(shí)超過 100歐姆-法拉。

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編輯：admin  最后修改時(shí)間：2018-02-26