應材以鈷代銅 導線技術(shù)大躍進
全球最大半導體設(shè)備廠應用材料宣布，利用鈷金屬全面取代銅當作導線材料，以協(xié)助客戶全面推進至7奈米以下制程，并延續(xù)摩爾定律，目前將主要應用在邏輯芯片當中，也可望協(xié)助客戶在3D NAND架構(gòu)中維持效能及良率。
由于智能手機及平板計算機需求廣大，顯示行動時代不斷需要更高規(guī)格配備，新應用也不斷發(fā)展，以高效能芯片如何突破現(xiàn)有速度、功耗更低及儲存空間更多為例，勢必就得不斷延續(xù)摩爾定律，從現(xiàn)有的10奈米制程節(jié)點向前演進至個位數(shù)奈米制程。
不過，10奈米以下制程技術(shù)含量高，且若用現(xiàn)有材料導電速度將會不如以往效率。因此，應用材料17日宣布，將以鈷金屬在個位數(shù)奈米制程節(jié)點全面取代現(xiàn)有的銅金屬當作導線材料，導電效率有顯著提升。
應用材料半導體設(shè)備事業(yè)群金屬沉積產(chǎn)品部資深經(jīng)理陸勤表示，將現(xiàn)有的芯片為縮到7奈米及以下制程是目前在半導體歷史中最困難的技術(shù)挑戰(zhàn)，產(chǎn)業(yè)界技術(shù)藍圖的精進有賴組件設(shè)計、制程技術(shù)及新材料的創(chuàng)新，因此應材耗時3年時間，研發(fā)出以鈷取代傳統(tǒng)銅的需要，以確保組件效能更高、良率更佳，維持客戶競爭力與推進技術(shù)藍圖的主要驅(qū)動力。
陸勤指出，以鈷金屬全面取代銅當作導線材料，將可能在7奈米制程進行學習階段，在5奈米制程客戶端有望全面導入。在機臺部分可望持續(xù)沿用當前的Endura平臺，進行技術(shù)及零件升級即可采用鈷當作導線材料。
陸勤表示，Endura能在關(guān)鍵的阻障層及重晶層進行沉積，使制程先進的導線成為可能，當業(yè)界到達10奈米以下，島縣內(nèi)非常的薄的薄膜就需要在控制良好的環(huán)境中，有夠精準材料工程及接口，這套系統(tǒng)能支持最多8個制程反應室，方便半導體廠能將各個制程技術(shù)同時整合在同一平臺上。
編輯：admin 最后修改時間：2018-01-05
