臺(tái)積電 7 納米傳 2017 年 4 月可接單
臺(tái)積電7納米晶圓制程進(jìn)度飛快，繼先前傳出要在2018年第一季放量生產(chǎn)7納米芯片，比英特爾（IntelCorp.）足足快3年之后，最新消息顯示，臺(tái)積電內(nèi)部預(yù)估，7納米最快明（2017）年4月就可開始接受客戶下單。
WCCFtech 25日報(bào)導(dǎo)，臺(tái)積電研發(fā)單位已在內(nèi)部會(huì)議中，揭露未來幾年的最新研發(fā)藍(lán)圖，根據(jù)幾名資深高層的說法，該公司今年底就會(huì)轉(zhuǎn)換至10納米，7納米則會(huì)在明年試產(chǎn)，估計(jì)明年4月就可接單，而16納米FinFET compact制程（FFC，比16FF+更精密）也將在今年導(dǎo)入。7納米制程可大幅提升省電效能（時(shí)脈約3.8Ghz、核心電壓（vcore）達(dá)1V），臨界電壓（threshold voltage）最低可達(dá)0.4V，適用溫度約為150度。
報(bào)導(dǎo)稱，跟16FF+相較，10納米FinFET制程可讓芯片尺寸縮小50%、運(yùn)算效能拉高50%、耗電量降低40%。相較之下，7納米（采的應(yīng)該是FinFET制程）的運(yùn)算效能只能拉高15%、耗電量降低35%，電晶體密度增加163%，改善幅度遠(yuǎn)不如10納米。這是因?yàn)，臺(tái)積電的10納米FinFET制程大約等同英特爾的14納米，7納米制程則大致跟英特爾的10納米相當(dāng)、甚至較遜。
AMD早已暗示會(huì)從16納米制程直接跳至7納米，但晶圓代工合作伙伴格羅方德（GlobalFoundries）的7納米卻要等到2018年才會(huì)試產(chǎn)，比臺(tái)積電晚了近一年之久。AMD早已修改了協(xié)議，合作伙伴不再僅限于格羅方德，假如臺(tái)積電的制程遠(yuǎn)優(yōu)，那么AMD完全有可能倒戈投向臺(tái)積電的懷抱。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2018-01-05
