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臺積電助力聯(lián)發(fā)科研發(fā)新一代 Helio X35 處理器

關(guān)鍵字:聯(lián)發(fā)科 IC設(shè)計 處理器 作者:admin 來源:不詳 發(fā)布時間:2018-01-05  瀏覽:105

先前,有媒體報導(dǎo)指出,IC設(shè)計廠聯(lián)發(fā)科的第1顆10納米先進(jìn)制程處理器Helio X30將在2017年第1季正式投產(chǎn),不但屆時將提高處理器的效能之外,還將一舉趕上高通、三星、蘋果、華為海思,以及清華紫光旗下的展訊等競爭對手。目前,聯(lián)發(fā)科也希望利用臺積電在10納米制程上的優(yōu)勢,同樣來生產(chǎn)更新一代的HelioX35處理器。而這樣的做法與先前發(fā)布的HelioX25和X20非常相似,這也是為了滿足更多中高端智能手機(jī)的應(yīng)用需求。

據(jù)了解,聯(lián)發(fā)科營運(yùn)長朱尚祖日之前曾透露,HelioX30將采用臺積電2016年底前將進(jìn)行量產(chǎn)的10納米先進(jìn)制程。其中,HelioX30基頻支持3載波聚合,包括Cat.10到Cat.12的全頻道。至于GPU方案,則是舍棄了ARM Mali,改采來自imagination的PowerVR。

至于,其余方面的資訊,根據(jù)之前曝光的資料來觀察,HelioX30仍然沿用包括2個A72、4個A53以及4個A35核心的十核架構(gòu)。其中,兩枚A72核心主頻將直奔2.8GHz。而A53以及A35的主頻也將直接提升到2.2GHz以及2.0GHz。另外,HelioX30同時支持2,600萬畫數(shù)的攝影鏡頭、雙攝影鏡頭以及虛擬現(xiàn)實的應(yīng)用等。在內(nèi)存方面,HelioX30將支持最高8GB的LPDDR4快閃內(nèi)存,支持UFS 2.1標(biāo)準(zhǔn)。

至于,更新一代的HelioX35處理器部分,雖然目前還沒有具體的架構(gòu)資訊。不過,按照之前X20與X25的關(guān)系來看,新版Helio X35與X30在架構(gòu)上應(yīng)該沒有區(qū)別,但是在核心主頻方面可能會繼續(xù)提升,以期能在性能上拉開差距。



編輯:admin  最后修改時間:2023-05-21

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