中國(guó)大陸存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)“炮臺(tái)”已搭起
2015年以來(lái)，伴隨著大陸在集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的高度關(guān)注與持續(xù)投入，大陸IC產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)正日趨完善，各產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)調(diào)控效果初顯，尤其在晶圓制造端，浩浩蕩蕩的國(guó)際各路大軍紛紛登陸中國(guó)，國(guó)內(nèi)廠商積極重組擴(kuò)張，在此期間，中國(guó)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)也經(jīng)歷了從無(wú)到有的重要?dú)v程。
中國(guó)存儲(chǔ)芯片幾乎完全依賴進(jìn)口，量產(chǎn)方面，大陸已有Samsung、Intel、SK海力士三大巨頭設(shè)立存儲(chǔ)器芯片制造廠，其中Samsung西安廠和Intel大連廠主要生產(chǎn)閃存NAND Flash，SKHynix無(wú)錫主要生產(chǎn)內(nèi)存DRAM。然而由于這些外資主導(dǎo)的廠商在工藝技術(shù)上的嚴(yán)格保密，大陸本土的工程師很難走到核心技術(shù)崗位，這對(duì)大陸存儲(chǔ)芯片制造業(yè)的幫助非常有限。此外，紫光收購(gòu)美光、入股西數(shù)曲線收購(gòu)SanDisk等海外并購(gòu)都遭到了美國(guó)外國(guó)投資委員會(huì)（CFIUS）的阻撓，最終告吹。這也給大陸方面提了個(gè)醒：中國(guó)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展單靠并購(gòu)是走不通的，必須將自主創(chuàng)新和技術(shù)引進(jìn)結(jié)合起來(lái)。
目前，全球存儲(chǔ)芯片技術(shù)主要由Samsung、SK海力士、美光、東芝、Intel等國(guó)際大廠壟斷。閃存方面，隨著2D-NAND制程工藝來(lái)到摩爾定律的極限，各巨頭廠商紛紛開始著手開發(fā)3D-NAND技術(shù)，三星32層與48層3D V-NAND產(chǎn)品與美光英特爾32層3D NAND產(chǎn)品與2015年底已正式投放市場(chǎng)，東芝、SanDisk、SK Hynix前期在邁入3D-NAND主流廠商的道路上稍顯遲鈍。
不過(guò)，在今年7月份，東芝和閃迪同時(shí)宣布已研發(fā)出64層的3D-NAND Flash制程技術(shù)，并計(jì)劃采用該技術(shù)的256Gb(32GB)產(chǎn)品在2017年上半年進(jìn)行量產(chǎn)，隨后三星也立即宣布于2016年底量產(chǎn)4GV-NAND(64層)產(chǎn)品？梢，在3D-NAND技術(shù)領(lǐng)域，各廠商都正處于起跑階段，距離還未完全被拉開，這對(duì)于大陸存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展是有利因素。
中國(guó)大陸在建的幾座12英寸晶圓廠中，合肥兆基科技、武漢新芯、晉江晉華都將產(chǎn)品方向關(guān)注到存儲(chǔ)芯片上來(lái)。其中兆基科技和晉華主導(dǎo)DRAM產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)，兆基科技創(chuàng)始人坂本幸雄是日本DRAM大廠爾必達(dá)的前社長(zhǎng)，2012年?duì)柋剡_(dá)被美光收購(gòu)，這不禁會(huì)引來(lái)業(yè)界猜測(cè)：未來(lái)兆基科技的DRAM技術(shù)是否有牽涉美光的IP？
但歸根到底，兆基科技整體仍由外資主導(dǎo)，大陸方面能否在未來(lái)有效完成技術(shù)滲透，現(xiàn)在看來(lái)并不明朗。相比而言，晉華項(xiàng)目則更趨人性化，晉華借助聯(lián)電技術(shù)導(dǎo)入利基型DRAM，由晉華提供設(shè)備、資金，支付聯(lián)電技術(shù)開發(fā)費(fèi)用，最終開發(fā)成果雙方共同擁有。武漢新芯則與飛索半導(dǎo)體合作主攻Flash芯片的開發(fā)，8月初紫光和武漢新芯宣布聯(lián)手成立長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限公司，中國(guó)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)國(guó)家隊(duì)規(guī)模再次提升，紫光此舉不僅整合了多方資源形成規(guī)模效應(yīng)，也極大縮短了自主建立Fab產(chǎn)線的時(shí)間，并留出更多的資金用于入股和收購(gòu)DRAM生產(chǎn)技術(shù)廠商，期許同時(shí)擁有Flash和DRAM的生產(chǎn)能力，力求盡塊達(dá)到中國(guó)自主生產(chǎn)記憶體的國(guó)家目標(biāo)。
對(duì)于同時(shí)擁有先進(jìn)DRAM和高階3D-NAND Flash技術(shù)（與Intel共同開發(fā)）的美光科技，紫光可謂覬覦已久，但鑒于中美兩國(guó)復(fù)雜的國(guó)際關(guān)系，美國(guó)政府始終不愿放手通過(guò)紫光收購(gòu)美光一案。如今長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技的成立，將再次重啟與美光洽談合作事宜，計(jì)劃引進(jìn)華亞科模式（由大陸提供資金和廠房，美光提供技術(shù)），如何成功激活此模式，相信對(duì)大陸方面將是一次關(guān)鍵的智慧考驗(yàn)。
接下來(lái)高端技術(shù)人才的引進(jìn)、本土人才培養(yǎng)及相關(guān)人才體系的完善和發(fā)展，必將排在各項(xiàng)工作的首位。中國(guó)在存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域多年空白的局面已造成了相關(guān)人才的嚴(yán)重缺失，高科技人才在IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展過(guò)程中的作用是不可替代的，所以如何引進(jìn)高端人才、留住人才、培養(yǎng)本土專業(yè)人才定是大陸政府密切關(guān)注的課題。
根據(jù)大陸各新建廠建設(shè)進(jìn)度，多數(shù)產(chǎn)線要到2018年才開始投片，未來(lái)2~3年內(nèi)，大陸對(duì)其他廠商并不能直接構(gòu)成威脅。然而，可以預(yù)見，中國(guó)在布局存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的步伐將會(huì)越來(lái)越快，大陸存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的“炮臺(tái)”已經(jīng)搭起，“彈藥”及所有準(zhǔn)備工作正緊張有序開展，一旦中國(guó)擁有先進(jìn)Flash和DRAM產(chǎn)品生產(chǎn)能力并實(shí)現(xiàn)自給自足時(shí)，全球存儲(chǔ)芯片的供需體系將被重新洗牌，相信對(duì)世界幾大寡頭來(lái)說(shuō)勢(shì)必會(huì)是一場(chǎng)血雨腥風(fēng)。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2018-01-05
