2016 年全球閃存高峰會(huì)，中國(guó)廠商能見(jiàn)度快速攀升
閃存產(chǎn)業(yè)的指標(biāo)性展會(huì)──2016年全球閃存高峰會(huì)（2016 Flash MemorySummit）甫落幕，TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎，大?huì)連續(xù)兩年設(shè)置中國(guó)專場(chǎng)，并由華瀾微電子總裁駱建軍博士擔(dān)任論壇主持人，顯示出中國(guó)市場(chǎng)已成國(guó)際關(guān)注焦點(diǎn)，中國(guó)閃存廠商的發(fā)言權(quán)與能見(jiàn)度正快速攀升。
由于移動(dòng)設(shè)備需求的快速增長(zhǎng)及服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心的大量建置，中國(guó)市場(chǎng)NANDFlash消耗量呈爆發(fā)式成長(zhǎng)。DRAMeXchange預(yù)估2017年中國(guó)市場(chǎng)所消耗的NAND Flash量將占全球30%以上，2020年將占全球逾40%，成為中國(guó)大力進(jìn)軍NAND Flash產(chǎn)業(yè)，積極建立上中下游完整供應(yīng)鏈的主要原因。
楊文得分析，3D-NANDFlash最晚將于2018年超越整體NAND Flash市場(chǎng)的一半，進(jìn)一步推升固態(tài)硬盤儲(chǔ)存應(yīng)用的容量與市場(chǎng)規(guī)模，至2020年整體NAND Flash需求將維持每年40%的高成長(zhǎng)率，中國(guó)巨大的市場(chǎng)發(fā)展?jié)摿?shì)必帶動(dòng)眾多NANDFlash廠商投入，未來(lái)中國(guó)廠商的布局更加火熱。
本屆快閃高峰會(huì)中國(guó)廠商的動(dòng)態(tài)可從內(nèi)存制造、主控芯片與應(yīng)用市場(chǎng)兩大面向看出其強(qiáng)大的發(fā)展企圖：
內(nèi)存制造端：武漢新芯為目前中國(guó)NANDFlash制造端廠商中最具規(guī)模者，與國(guó)際大廠飛索半導(dǎo)體（Spansion）合作發(fā)展3D-NAND Flash，預(yù)計(jì)2018上半年量產(chǎn)第一世代的3D-NAND產(chǎn)品。今年7月武漢新芯正式與紫光集團(tuán)成立長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技公司，將有效整合中國(guó)在NANDFlash制造端發(fā)展能量。楊文得表示，為拉近與國(guó)際內(nèi)存大廠的距離，中國(guó)產(chǎn)學(xué)界代表也聯(lián)合展示閃存FTL技術(shù)及復(fù)旦大學(xué)的RRAM商業(yè)化嘗試，可見(jiàn)中國(guó)在閃存布局有長(zhǎng)遠(yuǎn)規(guī)畫(huà)。
主控芯片與應(yīng)用市場(chǎng)：中國(guó)主控芯片廠如華瀾微、憶恒創(chuàng)源與華為等一線大廠皆參與盛會(huì)，看準(zhǔn)固態(tài)硬盤未來(lái)5年快速成長(zhǎng)的商機(jī)，各廠正強(qiáng)化在固態(tài)硬盤整體存儲(chǔ)設(shè)備及PCIe高速接口的研發(fā)能量。此外，為實(shí)現(xiàn)建立自主產(chǎn)業(yè)鏈的目標(biāo)，華瀾微與華為等廠商也展示自主開(kāi)發(fā)的IP與基礎(chǔ)性結(jié)構(gòu)研究。楊文得進(jìn)一步表示，近年來(lái)中國(guó)主控芯片業(yè)者以自主開(kāi)發(fā)或并購(gòu)等方式獲取關(guān)鍵IP技術(shù)的進(jìn)展速度加快，預(yù)期兩年內(nèi)將有更多NANDFlash主控芯片廠跨國(guó)合作與購(gòu)并。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2018-01-05
