三星西安廠事故及智能手機廠沖規(guī)格，NAND 價格暴沖 22%
日經新聞20日報導，因中國智能手機廠商紛紛強化產品功能，帶動內存需求大增，加上三星電子西安工廠6月因附近變電廠爆炸而一度停工，帶動使用于智能手機、記憶卡的NAND型快閃內存（Flash Memory）交易價格轉趨走揚，指標性產品6月份批發(fā)價在1個月期間內飆漲22%。
報導指出，6月份MLC（Multi-Level Cell）類型64Gb NAND價格揚升至每個2.75美元，為2年9個月以來首度走升，其中也有部分交易價格超過3美元，且進入7月以來價格仍持續(xù)走揚。據英國調查公司TechNavio指出，2016年全球NAND整體出貨量預估將年增3成至超過100億個。
據報導，6月中旬三星位于西安的半導體工廠因附近變電廠爆炸導致電壓不足而一度停工，而該座工廠目前雖已重啟生產，不過據悉上述變電廠爆炸事件目前仍對供應量帶來影響。三星西安工廠主要生產3DNAND Flash。
韓國媒體朝鮮日報日文版6月20日報導，三星關系人士表示，“就像鄰居水管破裂會造成水壓不足一樣，三星西安工廠部分半導體設備因感測到電壓下滑，而自動停工，西安工廠半導體產能約10%因此受到影響。”
韓聯(lián)社7月12日報導，韓國三星電子2016年Q1（2016年1-3月）NAND型快閃內存（Flash Memoy）全球銷售額創(chuàng)下歷史新高紀錄，穩(wěn)坐全球龍頭位置。報導指出，根據IHS的資料顯示，Q1三星NAND Flash銷售額較前一季（2015年Q4）成長3.1%至26.15億美元，增幅是整體市場（成長1.6%）的近2倍水準，市占率也從前一季的42.0%上揚至42.6%。
排名第二位東芝（Toshiba）市占率雖從24.0%大幅揚升至28.0%，不過與三星之間仍有高達14.6個百分點的差距；第三位為美國美光（Micron）的18.8%、韓國SK Hynix則以10.6%的市占率位居第4位。
編輯：admin 最后修改時間：2018-01-05
