三星擬擴產 3D NAND閃存 外資：2017 年產能將拉高近 4 成

韓國經濟日報（KoreaEconomic Daily）15日報導，三星電子（SamsungElectronics Co.）打算在2017年底前擴充3D NAND型快閃內存產能，總共要斥資25兆韓元，主要擴產的是位于中國西安的廠房，預定今年稍晚會于該廠新設一條3DNAND生產線，另外還將在韓國平澤市的廠房投入資本。雖然根據韓國時報報導，三星電子已在15日稍早否認上述消息，宣稱3DNAND的投資內容尚未敲定，但分析師似乎認為韓媒的報導內容相當可信。

穎特新科技訊：J.P.摩根發(fā)布研究報告指出，三星應該會在今年底將3D NAND的月產能拉高至接近16萬片晶圓（西安廠12萬片、Line 16廠接近4萬片）。三星的西安廠目前已接近產能全開，且該公司還計劃把Line16廠的部分2DNAND產能轉換為3D。

另外，三星也將善用Line17廠在2樓的空間，于明年投產3DNAND。依據上述假設，J.P.摩根估計三星明年底的3DNAND月產能將攀升至22萬片（西安廠12萬片、Line 16廠近6萬片、Line 17廠近4萬片），等于比今年底的月產能（16萬片）擴充37.5%，并占業(yè)界總體產能的12%。

編輯：admin  最后修改時間：2019-09-04