雙向可控硅使用經(jīng)典守則
由于構(gòu)造較為簡(jiǎn)單僅需一個(gè)觸發(fā)電路就能進(jìn)行工作，雙向可控硅能夠作為較為理想的交流開關(guān)器件來(lái)使用，應(yīng)用范圍在近幾年來(lái)有逐漸增大的趨勢(shì)。本文將對(duì)確保閘流管和雙向可控硅順利完美工作的十個(gè)條件進(jìn)行介紹，幫助大家完善設(shè)計(jì)。
規(guī)則1
為了導(dǎo)通閘流管(或雙向可控硅)，必須有門極電流≧IGT，直至負(fù)載電流達(dá)到≧IL。這條件必須滿足，并按可能遇到的最低溫度考慮。
規(guī)則2
要斷開(切換)閘流管(或雙向可控硅)，負(fù)載電流必須間，使能回復(fù)至截止?fàn)顟B(tài)。在可能的最高運(yùn)行溫度下必須滿足上述條件。
規(guī)則3
設(shè)計(jì)雙向可控硅觸發(fā)電路時(shí)，只要有可能，就要避開3+象限(WT2-，+)。
規(guī)則4
為減少雜波吸收，門極連線長(zhǎng)度降至最低。返回線直接連至MT1(或陰極)。若用硬線，用螺旋雙線或屏蔽線。門極和MT1間加電阻1kΩ或更小。高頻旁路電容和門極間串接電阻。另一解決辦法，選用H系列低靈敏度雙向可控硅。
規(guī)則5
若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起問題，在MT1和MT2間加入RC緩沖電路。若高dICOM/dt可能引起問題，加入一幾mH的電感和負(fù)載串聯(lián)。另一種解決辦法，采用Hi-Com雙向可控硅。
規(guī)則6
假如雙向可控硅的VDRM在嚴(yán)重的、異常的電源瞬間過(guò)程中有可能被超出，采用下列措施之一：
負(fù)載上串聯(lián)電感量為幾μH的不飽和電感，以限制dIT/dt;用MOV跨接于電源，并在電源側(cè)增加濾波電路。
規(guī)則7
選用好的門極觸發(fā)電路，避開3+象限工況，可以最大限度提高雙向可控硅的dIT/dt承受能力。
規(guī)則8
若雙向可控硅的dIT/dt有可能被超出，負(fù)載上最好串聯(lián)一個(gè)幾μH的無(wú)鐵芯電感或負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻。另一種解決辦法：對(duì)電阻性負(fù)載采用零電壓導(dǎo)通。
規(guī)則9
器件固定到散熱器時(shí)，避免讓雙向可控硅受到應(yīng)力。固定，然后焊接引線。不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一側(cè)。
規(guī)則10
為了長(zhǎng)期可靠工作，應(yīng)保證Rthj-a足夠低，維持Tj不高于Tjmax，其值相應(yīng)于可能的最高環(huán)境溫度。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2018-01-05
