IR推出20V至30V的全新StrongIRFET系列導通電阻
全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 國際整流器公司擴充StrongIRFET系列，為高性能運算和通信等應用提供20V至30V的器件。IR L6283M 20V DirectFET是該系列的重點器件，具有極低的導通電阻 (RDS(on))。
??IRL6283M采用超薄的30 mm2中罐式DirectFET封裝，導通電阻典型值只有500μΩ，可大幅降低傳導損耗，因而非常適合動態(tài)ORing和電子保險絲 (eFuse) 應用。新器件可使用3.3V、5V或12V的電源軌操作，在20A電流和同樣的30 mm2尺寸的封裝中，可比同類最佳PQFN器件降低15%的損耗，使設計人員能夠在大電流應用內(nèi)減少器件數(shù)量。
??IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“StrongIRFET系列經(jīng)過擴充后，能夠滿足市場對動態(tài)ORing和電子保險絲的高效開關(guān)的需求。全新IRL6283M在高性能封裝內(nèi)提供行業(yè)領(lǐng)先的導通電阻，從而實現(xiàn)無可比擬的功率密度！
與DirectFET系列的其它器件一樣，IRL6283M可提供有效增強電氣性能和熱性能的頂側(cè)冷卻功能，以及旨在提高可靠性的無鍵合線設計。此外，DirectFET封裝符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 的所有要求，例如完全不含鉛的物料清單可適合長生命周期的設計。同類的高性能封裝包含高鉛裸片，雖然符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定第7(a) 項豁免條款，但這項豁免將于2016年到期。
??IR的StrongIRFET系列同時提供采用了行業(yè)標準占位面積的PQFN封裝器件和不含鉛的環(huán)保封裝，并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。
??產(chǎn)品現(xiàn)正接受批量訂單。
編輯：admin 最后修改時間：2017-12-13
