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介質的可逆與不可逆決定了安規(guī)電容的極性

作者:admin 來源:不詳 發(fā)布時間:2017-12-13  瀏覽:42

針對同一品牌同一系列的安規(guī)電容器,分別與溫度、容量、電壓、頻率使用環(huán)境與用途,介質等都會影響DF值得大小,其中介質不同會在一定程度上影響電容的耐壓,介質的可逆與不可逆直接決定了電容的極性,同時也決定了CBB電容的耐壓高低,當容量相同時,耐壓越高的DF值就越小,頻率與溫度都是與DF值成正比的,溫度與頻率的升高都會促使DF值得升高。

安規(guī)電容

  耐高壓安規(guī)電容的DF值一般情況下在溫度、容量、頻率使用環(huán)境與用途介質等影響因素一樣的情況下DF值是不變的。一個電容器的等效串聯(lián)電阻(ESR)值是在某特定頻率下之Rs和Rp的合成值。因此,該元素的總損失就可以用一個和電容相串聯(lián)的電阻表示之。一只電容器會因其構造而產(chǎn)生各種阻抗、感抗,比較重要的就是ESR等效串聯(lián)電阻及ESL等效串聯(lián)電感─這就是容抗的基礎。


  一般情況下ESR/ESL越低安規(guī)電容器就越高級。其中ESR的高低與電容器的容量、電壓、頻率及溫度都有關連,當額定電壓固定時,容量愈大ESR愈低。有人習用將多顆小電容并接成一顆大電容以降低阻抗,其理論是電阻并聯(lián)阻值降低。但若考慮電容接腳焊點的阻抗,以小并大不見得一定會有收獲。反之,當容量固定時,選用高WV額定電壓的品種也能降低ESR;故耐高壓電容確實好處多多。頻率的影響:低頻時ESR高、高頻時ESR低;當然高溫也會造成ESR的提升。

編輯:admin  最后修改時間:2017-12-13

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