伍爾特電子啟動電容方案 多層陶瓷電容器通過EMC認(rèn)證
OFweek電子工程網(wǎng)訊 伍爾特電子通過引入認(rèn)證的X2薄膜 和X&Y陶瓷電容器已完成其EMC項目。此外，還發(fā)布了鋁電解電容器、鋁聚合化合物電容器，以及多層陶瓷電容器（MLCC)。MLCC允許對單一來源的電能進(jìn)行充分管理。
干擾抑制電容器
通過VDE，cULus和CQC認(rèn)證的X2 薄膜電容器能在電壓范圍275V(AC) 到310V (AC)之間提供可靠的干擾抑制。元件尺寸間距在7.5到37.5mm之間，最大電容為6.8 μF，脈沖穩(wěn)定性則可達(dá)600 V/μs；贛LCC的X&Y電容器有1808，1812和2211三種封裝規(guī)格以滿足微型化應(yīng)用要求。所有電容器均經(jīng)過TüV測試，并符合相關(guān)UL標(biāo)準(zhǔn)。
鋁電解電容器
鋁電解電容器有多種設(shè)計類型供選擇，包括V-Chip SMD，帶引線THD (Radial THD)，和Snap-I，具有高電容值，應(yīng)用電壓最高達(dá)450V（DC)， 并可提供非極性版本。產(chǎn)品包括適用于85 °C工作溫度和1000小時工作壽命的標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用電容器，以及適用于高達(dá)125 °C工作溫度和長達(dá)10000小時工作壽命的電容器。
鋁聚合化合物電容器
鋁聚合化合物電容器在電荷存儲設(shè)備領(lǐng)域是公認(rèn)的創(chuàng)新。伍爾特電子的鋁聚合化合物電容提供V-Chip SMD 和Radial THD兩種封裝。擁有超低ESR值，高電容值和長壽命的特性，目前工作電壓最高可達(dá)63V(DC)。
這套電容器系列搭配從0402到1812所有規(guī)格的MLCC可完全滿足一般應(yīng)用。將來，其他電子元器件還會被陸續(xù)添加到這套系列中，如靈活終端及其他特殊類型。
編輯：admin 最后修改時間：2017-07-29
