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該系列產(chǎn)品包含1200V和650V兩種規(guī)格－
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導(dǎo)通電阻，可顯著降低開關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，已于今日開始出貨。
新產(chǎn)品的單位面積導(dǎo)通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%[3]，從而使“漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%[4]，這是體現(xiàn)導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗間關(guān)系的重要指標(biāo)。這樣可以將開關(guān)損耗減少大約20%[5]，同時(shí)降低導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗。因此，新產(chǎn)品有助于提高設(shè)備效率。
東芝將進(jìn)一步壯大其功率器件產(chǎn)品線，強(qiáng)化生產(chǎn)設(shè)施，并通過(guò)提供易于使用的高性能功率器件，努力實(shí)現(xiàn)碳中和經(jīng)濟(jì)。
應(yīng)用：
-??? 開關(guān)電源（服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、通信設(shè)備等）
-??? 電動(dòng)汽車充電站
-??? 光伏變頻器
-??? 不間斷電源（UPS）
特性：
-??? 單位面積導(dǎo)通電阻低（RDS(ON)A）
-??? 低漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）
-??? 低二極管正向電壓：VDSF＝-1.35V（典型值）@VGS＝-5V
主要規(guī)格：
（除非另有說(shuō)明，Ta＝25℃）
器件型號(hào) | 封裝 | 絕對(duì)最大額定值 | 電氣特性 | 庫(kù)存查詢與購(gòu)買 | |||||||
漏極-源極電壓 VDSS（V） | 柵極-源極電壓 VGSS（V） | 漏極電流 （DC） ID（A） | 漏極-源極導(dǎo)通電阻 RDS(ON) 典型值（mΩ） | 柵極閾值電壓 Vth（V） | 總柵極電荷 Qg 典型值（nC） | 柵極-漏極電荷 Qgd 典型值（nC） | 輸入電容 Ciss 典型值（pF） | 二極管正向電壓 VDSF典型值 （V） | |||
@Tc＝25℃ | @VGS＝18V | @VDS＝10V | @VDS＝400V、 F＝100kHz | @VGS＝-5V | |||||||
TW015N120C | TO-247 | 1200 | -10至25 | 100 | 15 | 3.0至5.0 | 158 | 23 | 6000 | -1.35 | 在線購(gòu)買 |
TW030N120C | 60 | 30 | 82 | 13 | 2925 | 在線購(gòu)買 | |||||
TW045N120C | 40 | 45 | 57 | 8.9 | 1969 | 在線購(gòu)買 | |||||
TW060N120C | 36 | 60 | 46 | 7.8 | 1530 | 在線購(gòu)買 | |||||
TW140N120C | 20 | 140 | 24 | 4.2 | 691 | 在線購(gòu)買 | |||||
TW015N65C | 650 | 100 | 15 | 128 | 19 | 4850 | 在線購(gòu)買 | ||||
TW027N65C | 58 | 27 | 65 | 10 | 2288 | 在線購(gòu)買 | |||||
TW048N65C | 40 | 48 | 41 | 6.2 | 1362 | 在線購(gòu)買 | |||||
TW083N65C | 30 | 83 | 28 | 3.9 | 873 | 在線購(gòu)買 | |||||
TW107N65C | 20 | 107 | 21 | 2.3 | 600 | 在線購(gòu)買 | |||||
注：
[1] 通過(guò)采用為第二代SiC MOSFET開發(fā)的內(nèi)置肖特基勢(shì)壘二極管的架構(gòu)，東芝開發(fā)出一種可降低單位面積導(dǎo)通電阻（RDS(ON)A），同時(shí)降低JFET區(qū)域反饋電容的器件架構(gòu)。
[2] MOSFET：金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
[3] 當(dāng)?shù)诙鶶iC MOSFET的RDS(ON)A被設(shè)為1時(shí)，與新款1200V SiC MOSFET比較。東芝調(diào)研。
[4] 當(dāng)?shù)诙鶶iC MOSFET的RDS(ON)*Qgd被設(shè)為1時(shí)，與新款1200V SiC MOSFET比較。東芝調(diào)研。
[5] 新款1200V SiC MOSFET和第二代SiC MOSFET比較。東芝調(diào)研。
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1200V產(chǎn)品
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TW045N120C
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TW060N120C
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TW140N120C
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650V產(chǎn)品
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TW027N65C
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TW048N65C
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TW083N65C
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TW107N65C
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SiC功率器件
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SiCMOSFET
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1200V產(chǎn)品
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650V產(chǎn)品
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*本文提及的公司名稱、產(chǎn)品名稱和服務(wù)名稱可能是其各自公司的商標(biāo)。
*本文檔中的產(chǎn)品價(jià)格和規(guī)格、服務(wù)內(nèi)容和聯(lián)系方式等信息，在公告之日仍為最新信息，但如有變更，恕不另行通知。
關(guān)于東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社是先進(jìn)的半導(dǎo)體和存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，公司累積了半個(gè)多世紀(jì)的經(jīng)驗(yàn)和創(chuàng)新，為客戶和合作伙伴提供分立半導(dǎo)體、系統(tǒng)LSI和HDD領(lǐng)域的杰出解決方案。
公司23,100名員工遍布世界各地，致力于實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品價(jià)值的最大化，東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社十分注重與客戶的密切協(xié)作，旨在促進(jìn)價(jià)值共創(chuàng)，共同開拓新市場(chǎng)，公司現(xiàn)已擁有超過(guò)7,110億日元（62億美元）的年銷售額，期待為世界各地的人們建設(shè)更美好的未來(lái)并做出貢獻(xiàn)。
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