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電動(dòng)車(chē)控制器是用來(lái)控制電動(dòng)車(chē)電機(jī)的啟動(dòng)、運(yùn)行、進(jìn)退、速度、停止以及電動(dòng)車(chē)的其它電子器件的核心控制器件，它就像是電動(dòng)車(chē)的大腦，是電動(dòng)車(chē)上重要的部件。電動(dòng)車(chē)就來(lái)看主要包括電動(dòng)自行車(chē)、電動(dòng)二輪摩托車(chē)、電動(dòng)三輪車(chē)、電動(dòng)三輪摩托車(chē)、電動(dòng)四輪車(chē)、電瓶車(chē)等，電動(dòng)車(chē)控制器也因?yàn)椴煌能?chē)型而有不同的性能和[詳細(xì)]
MOS管 70A/30V KCX3503S產(chǎn)品特點(diǎn) RDS(on)=2.6mΩ(Typ.)@VGS=10V 先進(jìn)的溝漕技術(shù) 低柵極電荷 符合RoHS和無(wú)鹵標(biāo)準(zhǔn) MOS管 70A/30V KCX3503S產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域臺(tái)式機(jī)的電源管理 DC/DC轉(zhuǎn)換器 MOS管 70A/30V KCX3503S產(chǎn)品參數(shù) MOS管 70A/30V KCX3503S產(chǎn)品規(guī)格書(shū)查看及下載規(guī)格書(shū)，請(qǐng)點(diǎn)擊下圖 [詳細(xì)]
MOS管 -35A/-100V 8610A產(chǎn)品簡(jiǎn)介 KPD8610A采用先進(jìn)的溝道MOSFET技術(shù)，提供優(yōu)良的開(kāi)關(guān)器件和柵極。KPD8610A符合RoHS和綠色產(chǎn)品要求，100%EAS保證。 MOS管 -35A/-100V 8610A產(chǎn)品特點(diǎn)RDS(on)=42mΩ(typ)@VGS=10V 100% EAS保證 綠色設(shè)備 超低柵電荷 先進(jìn)的高密度溝槽技術(shù) MOS管 -35A/-100V 8610A產(chǎn)品封裝 MOS管 -35[詳細(xì)]
MOS管 KNX7606A 25A/60V產(chǎn)品介紹 KNX7606A是性能最高的N溝道m(xù)osfet，為大多數(shù)同步buck變換器提供優(yōu)良的RDSON和柵極電荷，KNX7606A符合RoHS和綠色產(chǎn)品要求。KIA半導(dǎo)體產(chǎn)品品質(zhì)優(yōu)良，KIA半導(dǎo)體執(zhí)行的全面質(zhì)量管理體系，是將所有產(chǎn)品質(zhì)量從芯片設(shè)計(jì)開(kāi)始，一直貫徹到客戶(hù)使用的全過(guò)程跟蹤和監(jiān)控。我們確定在這一質(zhì)量[詳細(xì)]
mos管的電路符號(hào)詳解。MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)[詳細(xì)]
MOS管輸出特性曲線(xiàn)詳解，穎特新的小編告訴大家，三極管是利用Ib的電流去控制電流Ic的，所以說(shuō)三極管是電流控制電流的器件。 而MOS管是利用Ugs的電壓去控制電流Id的，所以說(shuō)MOS管是電壓控制電流的器件。對(duì)于N溝道增強(qiáng)型的MOS管，當(dāng)Ugs>Ugs(th)時(shí)，MOS就會(huì)開(kāi)始導(dǎo)通，如果在D極和S極之間加上一定的電壓,就會(huì)有[詳細(xì)]
n溝道和p溝道圖片詳解，mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)、半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是[詳細(xì)]
碳化硅mosfet 本文主要講硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)的區(qū)別。我們先來(lái)看看碳化硅mosfet概述：在SiC MOSFET的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。 碳化硅mosfet驅(qū)動(dòng)與硅IGBT的區(qū)別硅IGBT與[詳細(xì)]
碳化硅igbt的優(yōu)勢(shì)是什么？什么是碳化硅？碳化硅是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。 碳化硅又稱(chēng)碳硅石。在當(dāng)代C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中，碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種，可以稱(chēng)為金鋼砂或[詳細(xì)]
電路板上mos管好壞判斷，主要是用指針式萬(wàn)用表對(duì)MOS管進(jìn)行判別。本文將會(huì)從5點(diǎn)來(lái)解析。MOS管是金屬—氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。[詳細(xì)]
什么是MOS管？ mos器件的工作原理是什么？MOS管是什么？MOS管全稱(chēng)金屬—氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管或稱(chēng)金屬—絕緣體—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，英文名metal oxide semiconductor，屬于場(chǎng)效應(yīng)管中的絕緣柵型，因此，MOS管有時(shí)候又稱(chēng)為絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。 mos器件的工作原理 mos器件的工作原理，從上圖一可以看出增強(qiáng)型[詳細(xì)]
MOS管 KNX4850S 8A/500V產(chǎn)品特征RDS(ON)=0.7Ω(typ)@VGS=10V 符合RoHS 低導(dǎo)通電阻 低柵極電荷 峰值電流與脈沖寬度曲線(xiàn)MOS管 KNX4850S 8A/500V產(chǎn)品封裝 MOS管 KNX4850S 8A/500V產(chǎn)品參數(shù) MOS管 KNX4850S 8A/500V產(chǎn)品規(guī)格書(shū)查看及下載規(guī)格書(shū)，請(qǐng)點(diǎn)擊下圖。 [詳細(xì)]
在電源設(shè)計(jì)中，安全往往是第一位的。在開(kāi)關(guān)電源中也是如此，接地能夠保護(hù)使用者的人身安全，并且確保電力設(shè)備的正常運(yùn)行。那么在開(kāi)關(guān)電源中合適的接地方式是什么？常見(jiàn)的接地符號(hào)又有哪些呢？（一）接地的定義是什么？ 在現(xiàn)代接地概念中、對(duì)于線(xiàn)路工程師來(lái)說(shuō)，該術(shù)語(yǔ)的含義通常是“線(xiàn)路電壓的參考點(diǎn)”。對(duì)于系統(tǒng)[詳細(xì)]
晶體管 晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件（包括二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、晶閘管等，有時(shí)特指雙極型器件），具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電信號(hào)來(lái)控制自身[詳細(xì)]
MOS管 KNX3502A 70A/20V產(chǎn)品介紹KIA半導(dǎo)體產(chǎn)品品質(zhì)優(yōu)良，KIA半導(dǎo)體執(zhí)行的全面質(zhì)量管理體系，是將所有產(chǎn)品質(zhì)量從芯片設(shè)計(jì)開(kāi)始，一直貫徹到客戶(hù)使用的全過(guò)程跟蹤和監(jiān)控。我們確定在這一質(zhì)量控制體系下生產(chǎn)的產(chǎn)品，在相關(guān)環(huán)節(jié)的質(zhì)量狀態(tài)和信息都是有效受控，確保提供給客戶(hù)的產(chǎn)品是安全可靠的。KNX3502A采用先進(jìn)的[詳細(xì)]
MOS門(mén)控晶閘管是什么？MOS控制晶閘管由VAK Temple開(kāi)發(fā)。它是一個(gè)電壓控制器，晶閘管是完全可控的晶閘管。MOS控制晶閘管的操作與GTO晶閘管非常相似，但是它具有電壓控制絕緣的柵極。它具有兩個(gè)用于導(dǎo)通和關(guān)斷的MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），并且在等效電路中具有相反的導(dǎo)電率。如果等效電路有一個(gè)晶[詳細(xì)]
MOS管 KIA2310 3.0A/60V產(chǎn)品特征VDS=60V,RDS(on)(TYP)=0.08Ω@VGS=10V,ID=3.0A VDS=60V,RDS(on)(TYP)=0.11Ω@VGS=4.5V,ID=2.0AMOS管 KIA2310 3.0A/60V產(chǎn)品封裝 MOS管 KIA2310 3.0A/60V產(chǎn)品參數(shù)詳情 MOS管 KIA2310 3.0A/60V產(chǎn)品規(guī)格書(shū)查看及下載規(guī)格書(shū)，請(qǐng)點(diǎn)擊下圖。 MOS管 KIA2310 3.0A/60V產(chǎn)品公司簡(jiǎn)介深圳[詳細(xì)]
功率mosfet功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。功率mosfet工作原理及其他詳解 截止：漏源極間加正電源，柵源極間[詳細(xì)]
MOS管 70A/30V KCX3503S產(chǎn)品介紹深圳市可易亞半導(dǎo)體科技有限公司.是一家專(zhuān)業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售為一體的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。 KIA半導(dǎo)體有強(qiáng)大的研發(fā)平臺(tái)，使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面擁有知識(shí)產(chǎn)權(quán)35項(xiàng)，并掌握多項(xiàng)場(chǎng)效應(yīng)管核心制造[詳細(xì)]
半導(dǎo)體如何區(qū)分，根據(jù)物體導(dǎo)電能力(電阻率)的不同，來(lái)劃分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。導(dǎo)體：容易導(dǎo)電的物體。如：鐵、銅等等；絕緣體：幾乎不導(dǎo)電的物體。如：橡膠等等；半導(dǎo)體：半導(dǎo)體是導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和半導(dǎo)體之間的物體。在一定條件下可導(dǎo)電。半導(dǎo)體的電阻率為10-3～109Ω·cm。典型的半導(dǎo)體有硅Si和鍺Ge以及砷[詳細(xì)]
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