MOS管的實(shí)際應(yīng)用詳細(xì)解析

MOS管和三極管類(lèi)似，只不過(guò) MOS管是壓控壓型（電壓控制），而三極管是流控流型（電流控制）。

至于MOS管的使用，N型與P型存在區(qū)別，對(duì)于應(yīng)用，我們只需要知道：

1、對(duì)于N型MOS管，若G、S之間為高（電壓方向G指向S，具體電平看具體MOS管 ），D、S（電壓方向D指向S）之間就會(huì)導(dǎo)通，此時(shí)D、S間相當(dāng)于一個(gè)很小的電阻，若G、S之間為低（具體電平看具體MOS管 ），D、S之間就會(huì)截止，此時(shí)D、S間相當(dāng)于一個(gè)很大的電阻，電流就無(wú)法流過(guò)。

2、對(duì)于P型MOS管，若G、S之間為高（電壓方向S指向G，具體電平看具體MOS管 ），D、S之間就會(huì)導(dǎo)通（電壓方向S指向D），此時(shí)D、S間相當(dāng)于一個(gè)很小的電阻，若G、S之間為低（具體電平看具體MOS管 ），D、S之間就會(huì)截止 ，此時(shí)D、S間相當(dāng)于一個(gè)很大的電阻，電流就無(wú)法流過(guò)。

N型MOS管應(yīng)用的場(chǎng)景更多，相比于比P型MOS管，其優(yōu)點(diǎn)如下：

1、開(kāi)關(guān)速度更快

2、耐壓更高

3、通過(guò)的電流更大

下面是N型MOS管的一個(gè)簡(jiǎn)單的引用電路，當(dāng)G端通入高電平，MOS管D、S間導(dǎo)通，此時(shí)MOS管導(dǎo)通，電機(jī)的電流得以通過(guò)，電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)。當(dāng)G端為低電平的時(shí)候，D、S間無(wú)法導(dǎo)通，電機(jī)也就無(wú)法運(yùn)行。

MOS管的實(shí)際應(yīng)用

應(yīng)用MOS管前，理解MOS管每個(gè)參數(shù)的具體意義后，再額外注意一下管子本身的體二極管，本身Vf=1.6V，導(dǎo)通后管子本身阻抗一般是mΩ級(jí)；管子廠工作于以下三種狀態(tài)：導(dǎo)通，截止和可變電阻區(qū)（又有線性放大區(qū)的說(shuō)法）。

1. 作電平轉(zhuǎn)換用

電路設(shè)計(jì)時(shí)，不同的子系統(tǒng)之間無(wú)可避免的需要數(shù)字信號(hào)傳遞，不同的系統(tǒng)之間或者設(shè)備之間，數(shù)字接口電平經(jīng)常不一致，故需要用到電平轉(zhuǎn)換電路，有專(zhuān)門(mén)集成的IC實(shí)行電平轉(zhuǎn)換，從省成本的角度來(lái)看也可以用MOS管或者三極管搭建，如下為MOS管搭建：

需要注意電平的高低，外接電路電平是否確定，是否雙向通信和通信速率等均影響具體電路的細(xì)節(jié)考慮，上述只是模型。

2. 作開(kāi)關(guān)管用

作為電子開(kāi)關(guān)控制電源的通斷，一般正極用PMOS管，負(fù)極用NMOS管控制；

3. 緩啟動(dòng)用

在有大電容負(fù)載時(shí)，比如電解電容和大功率設(shè)備電源（電機(jī)、馬達(dá)等）需要對(duì)電源作緩啟動(dòng)設(shè)計(jì)，否則會(huì)有很大的浪涌電流，電源電壓跌落導(dǎo)致系統(tǒng)復(fù)位，反復(fù)重啟等嚴(yán)重缺陷。

4. 防反接用

在電源接口設(shè)計(jì)時(shí)，有很多場(chǎng)合需要考慮反接的問(wèn)題，沒(méi)有相應(yīng)的電路設(shè)計(jì)的話很容易將電路燒壞，造成損失；

PMOS管常用在正極，NMOS管常用在負(fù)極；上面電路只是一個(gè)模型，具體電路還需要增加相應(yīng)的阻容器件調(diào)理。

5. 作邏輯轉(zhuǎn)換用

信號(hào)除了電平高低的轉(zhuǎn)換，很多時(shí)候需要電平邏輯高低轉(zhuǎn)換，MOS管和三極管都可以實(shí)現(xiàn)，下面是MOS管的方式；

MOS管在電路中還有很多其他用途，穎特新小編暫時(shí)先介紹上面幾種；尤其注意在大功率電路設(shè)計(jì)中，務(wù)必理解各種參數(shù)的實(shí)際意義和關(guān)聯(lián)關(guān)系，以免造成嚴(yán)重后果。