SIC模塊與IGBT模塊的區(qū)別 SIC模塊與IGBT模塊在應用的差別

SIC模塊和IGBT模塊是兩種不同類型的功率電子器件，它們在材料和性能特征上存在顯著差異，適用于不同的應用領域，下面穎特新詳細介紹一下這兩者之間的差別。

SIC模塊與IGBT模塊的區(qū)別：

1.材料差異：sic是寬禁帶材料，而igbt是基于硅的材料。sic具有更高的擊穿電場強度、更高的熱導率、更高的工作溫度和更小的芯片面積等優(yōu)勢。

2.開關特性差異：sic-MOSFET是單極器件，沒有尾電流，因此能實現(xiàn)更快的開關速度和更低的開關損耗。而igbt是雙極器件，存在尾電流，開關速度受限，開關損耗較大。

3.應用領域差異：sic-MOSFET適用于高壓、高頻、高效的電力轉(zhuǎn)換應用，如新能源汽車、風力發(fā)電、光伏逆變等。而igbt適用于中低壓、中低頻、大電流的電力轉(zhuǎn)換應用，例如工業(yè)驅(qū)動、軌道交通、變頻空調(diào)等。

SIC模塊與IGBT模塊在應用的差別：

硅IGBT和碳化硅MOSFET在驅(qū)動方面具有顯著的電氣參數(shù)特性差異。碳化硅MOSFET對于驅(qū)動的要求與傳統(tǒng)硅器件也存在差異，主要表現(xiàn)在GS開通電壓、GS關斷電壓、短路保護、信號延遲和抗干擾等幾個方面。具體如下：

（一）開通關斷

對于全控型開關器件，適配合適的開通關斷電壓對于確保器件的安全可靠性至關重要：

1）硅IGBT：不同廠家的硅IGBT共同要求：

·開通電壓典型值為15V；

·關斷電壓范圍為-5V至-15V，用戶可以根據(jù)需求選擇適當?shù)臄?shù)值，常見的選擇包括-8V、-10V和-15V；

·優(yōu)先考慮穩(wěn)定的正電壓，以確保可靠的開通操作。

2）碳化硅MOSFET：不同廠家的碳化硅MOSFET具有不同的開關電壓要求：

·開通電壓要求較高，通常在22V至15V范圍內(nèi)；

·關斷電壓要求較高，通常在-5V至-3V范圍內(nèi)；

·優(yōu)先考慮穩(wěn)定的負電壓，以確�？煽康年P斷操作；

·添加負壓鉗位電路，以確保關斷時負壓不超過規(guī)定限制。

（二）短路保護

開關器件在運行過程中存在短路風險，配置合適的短路保護電路可以有效減少因短路而導致的器件損壞。與硅IGBT相比，碳化硅MOSFET具有更短的短路耐受時間。

1）硅IGBT：

硅IGBT的承受退保和短路時間一般小于10μs，在設計硅IGBT的短路保護電路時，建議將短路保護的檢測延時和響應時間設置為5-8μs較為合適。

2）碳化硅MOSFET：

通常，碳化硅MOSFET模塊的短路承受能力小于5μs，因此短路保護需要在3μs以內(nèi)起作用。為了實現(xiàn)這一目標，可以采用二極管或電阻串聯(lián)進行短路檢測，并確保短路保護的最短時間限制在約1.5μs左右。

（三）碳化硅MOSFET驅(qū)動的干擾及延遲

1）高dv/dt及di/dt對系統(tǒng)的影響：

在高電壓和大電流條件下進行開關操作時，器件的開關過程會產(chǎn)生高速的dv/dt和di/dt，對驅(qū)動電路造成影響。為了確保系統(tǒng)可靠運行，提高驅(qū)動電路的抗干擾能力至關重要，可以采取以下措施：

·在輸入電源中添加共模扼流圈和濾波電感，以減小驅(qū)動器EMI對低壓電源的干擾；

·在次邊電源整流部分添加低通濾波器，降低驅(qū)動器對高壓側的干擾；

·使用具有高達100kV/μs共�？箶_能力的隔離芯片進行信號傳輸；

·采用經(jīng)過優(yōu)化設計的隔離變壓器，原邊和次邊都應用屏蔽層，減小相互間的串擾；

·使用米勒鉗位技術，防止同橋臂管子開關時的相互影響。

2）低傳輸延遲：

通常情況下，硅IGBT的應用開關頻率較低，小于40kHz，而碳化硅MOSFET推薦的應用開關頻率較高，大于100kHz。提高應用頻率要求驅(qū)動器提供更低的信號延遲時間。碳化硅MOSFET對驅(qū)動信號傳輸延遲要求小于200ns，傳輸延遲抖動小于20ns。為實現(xiàn)這一目標，可以采取以下方式：

·使用數(shù)字隔離驅(qū)動芯片，可實現(xiàn)信號傳輸延遲約為50ns，并且具有較高的一致性，傳輸延遲抖動小于5ns；

·選擇具有較低傳輸延時和短上升/下降時間的推挽芯片。

總之，與硅IGBT相比，碳化硅MOSFET在提高系統(tǒng)效率、功率密度和工作溫度方面具有優(yōu)勢。然而，這也對驅(qū)動器提出了更高的要求。為了確保碳化硅MOSFET在系統(tǒng)中發(fā)揮更好的作用，需要選擇適配的驅(qū)動器。