什么是相變內(nèi)存
關(guān)鍵字：相變內(nèi)存
(PCM)的概念提了很多年，但早已經(jīng)不是空中樓閣，而是悄然進(jìn)入了實(shí)用。美光去年就首次實(shí)現(xiàn)了相變內(nèi)存的量產(chǎn)，并在年底宣布已經(jīng)用于諾基亞的Asha系列手機(jī)。相變內(nèi)存聽(tīng)起來(lái)很高端，但也沒(méi)有什么神秘的。它綜合了NOR、NAND等閃存的非易失性，RAM、EEPROM的位可變性、高速讀寫(xiě)，可廣泛用于PC、手機(jī)、嵌入式、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。最早開(kāi)發(fā)相變內(nèi)存的是Numonyx(恒憶)，意法半導(dǎo)體、Intel各自?xún)?nèi)存部門(mén)分離出來(lái)后在2008年初共同成立的一家新公司，后來(lái)被美光收購(gòu)。
2009年，美光展示了1Gb相變內(nèi)存，45nm工藝制造，存儲(chǔ)單元面積0.015平方微米。2011年，三星投產(chǎn)了NOR兼容的65nm相變內(nèi)存，并用在了三星自己的GT-E2550 GSM功能手機(jī)中，但產(chǎn)量和銷(xiāo)量都極少。2013年初，美光終于量產(chǎn)了面向手機(jī)的相變內(nèi)存，使用45nm工藝，而且首次使用了MCP多芯片封裝，以及普通的LPDDR2內(nèi)存接口，LPDDR2-PCM、LPDDR2-DARM這兩個(gè)內(nèi)核共用同樣的內(nèi)存總線。內(nèi)存顆粒正反面，編號(hào)MT66R7072A10AB5ZZW.ZCA，121-ball FBGA封裝，尺寸11×10×0.9毫米。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2020-06-08
