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SAMSUNG量產(chǎn)3D Vertical NAND FLASH

作者: 來源: 發(fā)布時間:2020-06-02  瀏覽:32

關鍵字: 業(yè)界技術領先的韓國三星公司宣布,該公司已經(jīng)成功研發(fā)并量首新型NAND閃存--3D Vertical NAND flash。三星公司表示新型NAND閃存將能夠大幅提升存儲容量的同時,產(chǎn)品的可靠性、擴展性以及性也將會獲得很大的提升。新產(chǎn)品為3D Vertical NAND閃存,可用于消費類或者企業(yè)級嵌入式存儲應用以及SSD硬盤產(chǎn)品。通過3D Charge Trap Flash (CTF)技術以及vertical interconnect技術的應用,三星公司能夠實現(xiàn)單芯片容量128Gb。對此三星公司將這項技術形容為“重新設計了CTF架構。” 三星公司表示,V-NAND閃存在產(chǎn)品可靠性上將可獲得2-10倍的提升,寫入性能將會倍增,同時這項技術能夠支持最多24層產(chǎn)品設計。最新的產(chǎn)品型號為 K9PKGY8S7M-CCK0
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編輯:admin  最后修改時間:2020-06-02

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