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SLC NAND FLASH 常用型號

作者: 來源: 發(fā)布時間:2020-06-02  瀏覽:57

關(guān)鍵字: SLC NAND FLASH 常用型號 持續(xù)跟新NAND閃存可分為三大架構(gòu),分別是單層式儲存(Single Level Cell),即SLC;多層式儲存(Multi Level Cell),即MLC;多位式存儲(Multi Bit Cell),即MBC。SLC技術(shù)與 EEPROM原理類似,只是在浮置閘極(Floating gate)與源極(Source gate)之中的氧化薄膜更薄,其數(shù)據(jù)的寫入是透過對浮置閘極的電荷加電壓,然后可以透過源極,即可將所儲存的電荷消除,采用這樣的方式便可儲存每1個信 息位,這種技術(shù)的單一位方式能提供快速的程序編程與讀取,不過此技術(shù)受限于低硅效率的問題,必須由較先進的流程強化技術(shù)才能向上提升SLC制程技術(shù),單片 容量目前已經(jīng)很難再有大的突破,似乎已經(jīng)發(fā)展到了盡頭。目前生產(chǎn)SLC NAND FLASH 的廠家主要有samsung sk hynix Toshiba CYPRESS WINBOND 旺宏等廠家。容量包括1Gb 2Gb 4Gb。常用型號是:(持續(xù)更新中)K9F1G08U0F-SCB0 SLC 1GbK9F2G08U0D-SCB0 SLC 2GbK9F4G08U0F-SCB0 SLC 4GbK9F4G08U0F-5CB0 SLC 4GbTC58NVG0S3HTA00 SLC 1GbTC58NVG1S3HTA00 SLC 2GbTC58NVG2S3HTA00 SLC 4GbTC58BVG0S3HTA00 SLC 1GbTC58BVG1S3HTA00 SLC 1GbMT29F1G08ABAEAWP:E SLC 1GbMT29F2G08ABAEAWP:E SLC 2GbMT29F4G08ABAEAWP:E SLC 4GbH27U1G8F2DTR-BC SLC 1GbH27U2G8F2DTR-BC SLC 2GbH27U4G8F2DTR-BC SLC 4Gb
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編輯:admin  最后修改時間:2020-06-02

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