SLC NAND FLASH 常用型號
作者： 來源: 發(fā)布時間：2020-06-02 瀏覽：54
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| SLC NAND FLASH 常用型號 持續(xù)跟新NAND閃存可分為三大架構(gòu)，分別是單層式儲存（Single Level Cell），即SLC；多層式儲存（Multi Level Cell），即MLC；多位式存儲（Multi Bit Cell），即MBC。SLC技術(shù)與 EEPROM原理類似，只是在浮置閘極（Floating gate）與源極（Source gate）之中的氧化薄膜更薄，其數(shù)據(jù)的寫入是透過對浮置閘極的電荷加電壓，然后可以透過源極，即可將所儲存的電荷消除，采用這樣的方式便可儲存每1個信 息位，這種技術(shù)的單一位方式能提供快速的程序編程與讀取，不過此技術(shù)受限于低硅效率的問題，必須由較先進(jìn)的流程強(qiáng)化技術(shù)才能向上提升SLC制程技術(shù)，單片 容量目前已經(jīng)很難再有大的突破，似乎已經(jīng)發(fā)展到了盡頭。目前生產(chǎn)SLC NAND FLASH 的廠家主要有samsung sk hynix Toshiba CYPRESS WINBOND 旺宏等廠家。容量包括1Gb 2Gb 4Gb。常用型號是：（持續(xù)更新中）K9F1G08U0F-SCB0 SLC 1GbK9F2G08U0D-SCB0 SLC 2GbK9F4G08U0F-SCB0 SLC 4GbK9F4G08U0F-5CB0 SLC 4GbTC58NVG0S3HTA00 SLC 1GbTC58NVG1S3HTA00 SLC 2GbTC58NVG2S3HTA00 SLC 4GbTC58BVG0S3HTA00 SLC 1GbTC58BVG1S3HTA00 SLC 1GbMT29F1G08ABAEAWP:E SLC 1GbMT29F2G08ABAEAWP:E SLC 2GbMT29F4G08ABAEAWP:E SLC 4GbH27U1G8F2DTR-BC SLC 1GbH27U2G8F2DTR-BC SLC 2GbH27U4G8F2DTR-BC SLC 4Gb |
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編輯：admin 最后修改時間：2020-06-02
