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東芝超車三星,擬于 Q3 生產 64 層 NAND Flash

作者:admin 來源:不詳 發(fā)布時間:2018-01-05  瀏覽:44

星電子的3DNAND Flash霸主寶座出現(xiàn)危機?三星是第一家開發(fā)出3DNAND Flash業(yè)者,技術遙遙領先,不過據傳日廠東芝(Toshiba)砸重金研發(fā)后,情勢一夕驟變,東芝即將超車三星,成為首家生產64層3D NAND Flash的廠商。

BusinessKorea 20日報導,2013年三星電子率先制造3D NAND,東芝直到今年春天才加入生產行列,不過卻以光速追上對手,計劃今年第三季生產全球首見的64層3D NAND Flash,比三星快了一季。

64層3D NAND Flash極為重要,業(yè)界認為64層3D NAND Flash的出現(xiàn),代表平面NAND Flash時代劃上句點。3D NAND Flash采垂直堆疊,可提高內存容量和速度,表現(xiàn)優(yōu)于平面NAND Flash。

盡管東芝來勢洶洶,半導體專家指出,東芝和三星仍有技術差距,兩家公司最大不同在于控制閘(controlgate)技術,三星采用TANOS、東芝使用SONOS。據稱東芝的技術便于多層堆疊,但是缺點在于制程較為復雜、生產力較低。

編輯:admin  最后修改時間:2018-01-05

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