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東芝傳生產(chǎn) NIL 技術(shù) NAND Flash,成本降 1 成

作者:admin 來源:不詳 發(fā)布時間:2017-12-13  瀏覽:32

日經(jīng)新聞3日報導(dǎo),全球第2大NAND型快閃內(nèi)存(Flash Memory)廠商東芝(Toshiba)將在2017年度采用被稱為“納米壓印(Nano-imprint Lithography,NIL)”的新技術(shù),生產(chǎn)使用于智能手機等產(chǎn)品的NAND Flash,藉此可讓曝光工程(形成回路的工程)成本壓低至采用現(xiàn)行技術(shù)的三分之一水準(zhǔn),就整體制造工程來看,預(yù)估成本有望刪減約1成。

報導(dǎo)指出,東芝正和大日本印刷(DNP)、Canon持續(xù)研發(fā)NIL技術(shù),以期望藉由提高成本競爭力,對抗韓國三星電子。

據(jù)報導(dǎo),東芝計劃今后3年內(nèi)對半導(dǎo)體事業(yè)砸下8,600億日元進行投資,其中部分資金將用來整備采用NIL技術(shù)的NAND Flash產(chǎn)線,且計劃于2017年度開始進行生產(chǎn),之后并計劃利用預(yù)計于2018年度啟用的新廠房進行量產(chǎn)。

因現(xiàn)行技術(shù)已難以進一步提高半導(dǎo)體性能,故包含東芝在內(nèi)的全球半導(dǎo)體大廠正積極進行次世代技術(shù)的研發(fā),而除了上述的NIL之外,荷蘭設(shè)備廠ASML在獲得美國英特爾(Intel)、韓國三星的支持下,正進行“極紫外光(EUV)曝光”技術(shù)的研發(fā)。



編輯:admin  最后修改時間:2017-12-13

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