東芝傳生產 NIL 技術 NAND Flash，成本降 1 成
日經新聞3日報導，全球第2大NAND型快閃內存（Flash Memory）廠商東芝（Toshiba）將在2017年度采用被稱為“納米壓。∟ano-imprint Lithography，NIL）”的新技術，生產使用于智能手機等產品的NAND Flash，藉此可讓曝光工程（形成回路的工程）成本壓低至采用現行技術的三分之一水準，就整體制造工程來看，預估成本有望刪減約1成。
報導指出，東芝正和大日本印刷（DNP）、Canon持續(xù)研發(fā)NIL技術，以期望藉由提高成本競爭力，對抗韓國三星電子。
據報導，東芝計劃今后3年內對半導體事業(yè)砸下8,600億日元進行投資，其中部分資金將用來整備采用NIL技術的NAND Flash產線，且計劃于2017年度開始進行生產，之后并計劃利用預計于2018年度啟用的新廠房進行量產。
因現行技術已難以進一步提高半導體性能，故包含東芝在內的全球半導體大廠正積極進行次世代技術的研發(fā)，而除了上述的NIL之外，荷蘭設備廠ASML在獲得美國英特爾（Intel）、韓國三星的支持下，正進行“極紫外光（EUV）曝光”技術的研發(fā)。
編輯：admin 最后修改時間：2017-12-13
