內(nèi)存血戰(zhàn)才揭開(kāi)序幕？三星庫(kù)存塞爆創(chuàng)同季歷史新高
先前外資痛批三星電子不顧同行道義，在內(nèi)存業(yè)趕盡殺絕。如今背后原因似乎揭曉，韓媒指出，今年第一季三星電子和SK海力士（SK Hynix）的半導(dǎo)體庫(kù)存雙雙創(chuàng)下新高，滿坑滿谷的內(nèi)存賣不動(dòng)，三星或許因此殺紅了眼。
BusinessKorea 18日?qǐng)?bào)導(dǎo)，今年Q1季末，三星電子的半導(dǎo)體庫(kù)存達(dá)7.4萬(wàn)億韓元，寫(xiě)下同季歷史新高。SK海力士的半導(dǎo)體庫(kù)存為2.2萬(wàn)億韓元，更創(chuàng)下該公司史上之最。一般而言，企業(yè)都趕在新年之前盡量消化庫(kù)存，Q4應(yīng)是出貨旺季，不料內(nèi)存買氣從2015年開(kāi)始急凍，2015年Q4庫(kù)存增加速度之快，幾乎前所未見(jiàn)。
三星半導(dǎo)體庫(kù)存連年提高，近來(lái)更急速成長(zhǎng)。2012年半導(dǎo)體庫(kù)存約為4萬(wàn)億韓元，2015年增至6~7萬(wàn)億韓元，今年Q1更超越7萬(wàn)億韓元。和2015年同期相比，今年Q1庫(kù)存飆升了1.7萬(wàn)億韓元。主要原因應(yīng)是內(nèi)存買氣驟減，Q1三星內(nèi)存部門營(yíng)收年減3,700億韓元。
與此同時(shí)，2015年SK海力士的庫(kù)存大都在1.5萬(wàn)億韓元以下，不料2015年年底突然暴增至1.9萬(wàn)億韓元，今年Q1又一舉突破2萬(wàn)億韓元。SK海力士的庫(kù)存資產(chǎn)占總資產(chǎn)比重一路攀升，2014年來(lái)從5.6%升至6.5%，再增至7.4%。庫(kù)存爆滿，問(wèn)題是內(nèi)存前景欠佳，需求仍淡，業(yè)者可能會(huì)啟動(dòng)更激烈的殺價(jià)戰(zhàn)，出清庫(kù)存。
內(nèi)存業(yè)凄慘，又有新技術(shù)出來(lái)?yè)屖袌?chǎng)，前景更為黯淡。Phone Arena、Engadget 17日?qǐng)?bào)導(dǎo)，“相變化內(nèi)存”（Phase-Change Memory，簡(jiǎn)稱PCM）因成本太高，智能機(jī)等移動(dòng)設(shè)備無(wú)法采納，過(guò)去15年來(lái)一直應(yīng)用在光盤片等科技產(chǎn)品。然而，IBM現(xiàn)在不但降低了成本，還想出新的方法，可在每個(gè)記憶單位（cell）中儲(chǔ)存3位資訊、即使周遭溫度較高也毫無(wú)障礙，未來(lái)可能會(huì)讓內(nèi)存領(lǐng)域出現(xiàn)巨變。
IBM Research 17日在巴黎舉辦的IEEE國(guó)際內(nèi)存研討會(huì)（International Memory Workshop）上表示，新開(kāi)發(fā)的技術(shù)可降低PCM成本，價(jià)格不但能與快閃內(nèi)存競(jìng)爭(zhēng)，還會(huì)比DRAM更便宜。
（備注：10000韓元=55元人民幣）
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2017-12-13
